[發(fā)明專利]一種智能化多維多功能傳感及信息處理集成電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010181514.7 | 申請日: | 2020-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN111370362B | 公開(公告)日: | 2022-07-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林和 | 申請(專利權(quán))人: | 林和 |
| 主分類號: | H01L21/762 | 分類號: | H01L21/762;G01D5/14;G01D5/26;G01D5/48 |
| 代理公司: | 北京冠和權(quán)律師事務(wù)所 11399 | 代理人: | 朱健 |
| 地址: | 北京市海淀區(qū)*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 智能化 多維 多功能 傳感 信息處理 集成電路 | ||
1.一種智能化多維多功能傳感及信息處理集成電路,其特征在于,包括:襯底、過渡層和超晶格超大規(guī)模集成電路層,所述過渡層設(shè)置于所述襯底和所述超晶格超大規(guī)模集成電路層之間;其中,
所述襯底由硅、化合物半導(dǎo)體組成;
所述襯底的頂部設(shè)有由二氧化硅、化合物半導(dǎo)體中一種或多種組成的過渡層;
所述過渡層頂部和側(cè)面形成有基于二維電子氣、二維空穴氣和量子阱電路創(chuàng)建的超晶格超大規(guī)模集成電路層;其中,
所述超晶格超大規(guī)模集成電路層包括超晶格傳感元器件和超大規(guī)模集成電路元器件,所述超大規(guī)模集成電路元器件連接于所述超晶格傳感元器件外圍;
所述超晶格傳感元器件由多種超晶格傳感器組合而成;
所述超晶格傳感器至少包括超晶格霍爾磁傳感器、超晶格光電傳感器、超晶格毫米波與微米波傳感器、超晶格超聲波傳感器、超晶格生物電子傳感器的組合;
所述超大規(guī)模集成電路元器件由信息存儲元器件、信息處理電路以及兼容的毫米波、微米波、亞毫米波、表面聲波、磁敏、光電子和生物電子的集成電路組合而成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能化多維多功能傳感及信息處理集成電路,其特征在于,所述超晶格傳感元器件為多種超晶格傳感器的組合時,通過多層次金屬與介電隔離工藝在每個所述超晶格傳感器周邊構(gòu)建隔離層,通過所述隔離層隔離相鄰的所述超晶格傳感器;其中,
所述隔離層包括:以平面屏蔽和垂直屏蔽為架構(gòu)的金屬隔離層,以平面隔離和垂直屏蔽為架構(gòu)的介電隔離層;
所述多種超晶格傳感器的組合包括所述超晶格光電傳感器、超晶格超聲波傳感器或超晶格生物電子傳感器,其中,所述超晶格超聲波傳感器周邊還設(shè)有聲波導(dǎo)通道;
所述超晶格傳感元器件包括同質(zhì)超晶格層或異質(zhì)超晶格層,所述同質(zhì)超晶格層至少由硅、氮化鎵、砷化鎵構(gòu)成;所述異質(zhì)超晶格層至少由氮砷化鎵、氮鋁化鎵和氮磷化鎵構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能化多維多功能傳感及信息處理集成電路,其特征在于,所述超晶格霍爾磁傳感器包含超晶格本征層、超晶格N型層、超晶格低阻P-型層、N+導(dǎo)電層、歐姆接觸層、介電保護層和溝道絕緣層的組成部分;其中,
所述超晶格霍爾磁傳感器還具有以下三種結(jié)構(gòu):棱形超晶格霍爾磁傳感器、矩形超晶格霍爾磁傳感器和螺旋形超晶格霍爾磁傳感器;
所述棱形超晶格霍爾磁傳感器和矩形超晶格霍爾磁傳感器的結(jié)構(gòu)為n-i-p-i;
所述螺旋形超晶格霍爾磁傳感器作為校準器,在零偏壓,負偏壓或及正偏壓Vpn下,可調(diào)節(jié)流過超晶格N型層的電流,電流的方向?qū)Q定校準磁場的方向。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能化多維多功能傳感及信息處理集成電路,其特征在于,所述超晶格光電傳感器包含超晶格本征層、超晶格低阻N型層、超晶格P型層、N+導(dǎo)電層、P+導(dǎo)電層、歐姆接觸層、介電保護層和溝道絕緣層的組成部分;其中,
所述P+導(dǎo)電層連接P型層;
所述N+導(dǎo)電層連接N型層;
所述超晶格光電傳感器還具有多層的重復(fù)結(jié)構(gòu)n-i-p-i-n-i-p-i……。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





