[發明專利]一種顯示面板及顯示裝置在審
| 申請號: | 202010181505.8 | 申請日: | 2020-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN111293161A | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發明(設計)人: | 夏景成 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京華進京聯知識產權代理有限公司 11606 | 代理人: | 魏朋 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
襯底以及設置于襯底上的至少三種不同發光顏色的子像素,
至少一種發光顏色的所述子像素包括基礎子像素和與所述基礎子像素的發光顏色相同的補償子像素;
還包括設置于各子像素之間的像素限定層,所述基礎子像素與所述補償子像素間隔所述像素限定層設置;
所述補償子像素的微腔腔長與所述基礎子像素的微腔腔長不同。
2.如權1所述的顯示面板,其特征在于:所述補償子像素與所述基礎子像素的像素開口面積不同,
優選的,所述補償子像素的像素開口面積小于所述基礎子像素的像素開口面積;
優選的,所述補償子像素的像素開口面積為所述基礎子像素的像素開口面積的10%~30%。
3.如權1所述的顯示面板,其特征在于:所述補償子像素的微腔腔長大于所述基礎子像素的微腔腔長。
4.如權1所述的顯示面板,其特征在于:所述補償子像素與所述襯底之間的膜層厚度大于所述基礎子像素與所述襯底之間的膜層厚度。
5.如權1所述的顯示面板,其特征在于:所述顯示面板還包括第一電極,所述第一電極包括位于所述補償子像素與所述襯底之間的補償第一電極,以及位于所述基礎子像素與所述襯底之間的基礎第一電極,所述補償第一電極的膜層厚度大于所述基礎第一電極的膜層厚度。
6.如權5所述的顯示面板,其特征在于:所述第一電極包括位于襯底一側的第一透明電極,位于所述第一透明電極遠離所述襯底一側的反射電極,以及位于所述反射電極遠離所述襯底一側的第二透明電極;
所述補償第一電極還包括補償光學調整層,所述補償光學調整層位于所述反射電極與所述第二透明電極之間;和/或,所述補償光學調整層位于所述反射電極與所述第一透明電極之間;
優選的,所述補償光學調整層的總厚度范圍為0-50納米。
7.如權6所述的顯示面板,其特征在于:所述補償第一電極還包括電連接所述反射電極與所述第二透明電極的連接層,和/或,所述補償第一電極還包括電連接所述反射電極與所述第一透明電極的連接層,所述連接層與所述補償光學調整層同層設置;
優選的,所述像素限定層在所述襯底上的正投影覆蓋所述連接層在所述襯底上的正投影。
8.如權5所述的顯示面板,其特征在于:所述基礎第一電極還包括位于所述反射電極與所述第二透明電極之間的基礎光學調整層,和/或,所述基礎光學調整層位于所述反射電極與所述第一透明電極之間;
所述補償光學調整層的厚度大于所述基礎光學調整層的厚度;
優選的,所述補償光學調整層的總厚度范圍為30-50納米,所述基礎光學調整層的總厚度范圍為5-30納米;
優選的,所述補償光學調整層與所述基礎光學調整層的材料相同,優選為高透過率的材料,包括無機材料或有機材料,所述無機材料優選為SiO2、SiNx,所述有機材料優選為PEDOT:PSS;
優選的,所述基礎第一電極還包括電連接所述反射電極與所述第二透明電極的基礎連接層,和/或,所述基礎第一電極還包括電連接所述反射電極與所述第一透明電極的基礎連接層,所述基礎連接層與所述基礎光學調整層同層設置;
優選的,所述像素限定層在所述襯底上的正投影覆蓋所述基礎連接層在所述襯底上的正投影。
9.如權1所述的顯示面板,其特征在于:至少三種不同發光顏色的子像素,所述子像素均包括基礎子像素,所述子像素包括藍光子像素、紅光子像素、綠光子像素;所述藍光子像素還包括藍光補償子像素,和/或,所述綠光子像素還包括補償綠光子像素,和/或,所述紅光子像素還包括補償紅光子像素。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1-9所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





