[發(fā)明專利]一種Mxenes-PEDOT:PSS復合柔性電極及太陽能電池器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010176467.7 | 申請日: | 2020-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN111463296A | 公開(公告)日: | 2020-07-28 |
| 發(fā)明(設計)人: | 宋嘉興;李在房;江悅;胡林;徐之光 | 申請(專利權)人: | 嘉興學院 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/042;H01L51/44;H01L51/00 |
| 代理公司: | 杭州斯可睿專利事務所有限公司 33241 | 代理人: | 戚正云 |
| 地址: | 314001 浙江省嘉興市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 mxenes pedot pss 復合 柔性 電極 太陽能電池 器件 | ||
本發(fā)明涉及太陽能電池技術領域,尤其是一種Mxenes?PEDOT:PSS復合柔性電極,由Mxenes?PEDOT:PSS復合材料采用溶液旋涂、刮涂、絲網(wǎng)印刷、噴墨打印、薄膜轉(zhuǎn)印中的一種制備。一種太陽能電池器件,包括由下至上層疊設置的基底、底電極、活性層、頂電極,其中底電極或頂電極兩者中的其中之一采用Mxenes?PEDOT:PSS復合柔性電極。本發(fā)明技術方案:通過將Mxenes材料(二維過渡金屬碳化物、氮化物或碳氮化物)和PEDOT:PSS材料復合的手段或方案,達到了形成新型的太陽能電池的柔性電極的效果。
技術領域
本發(fā)明涉及太陽能電池技術領域,尤其是一種Mxenes-PEDOT:PSS復合柔性電極及太陽能電池器件。
背景技術
隨著全球氣候日益惡化,不可再生能源的持續(xù)消耗,人們對清潔可再生能源的利用迫在眉睫。太陽能是一種綠色的可再生能源,因其清潔、儲量大、分布廣泛等優(yōu)點備受關注。在其應用中,將太陽能轉(zhuǎn)換成電能的太陽能電池成為各國科學界研究的熱點和產(chǎn)業(yè)界開發(fā)的重點。
經(jīng)過幾十年的發(fā)展,多元化合物薄膜太陽能電池、有機太陽能電池和鈣鈦礦太陽能電池等逐漸得到發(fā)展。如圖1所示為現(xiàn)在普遍流行的太陽能電池器件結構,其中包括基底、底電極、電荷傳輸層1、活性層、電荷傳輸層2和頂電極。其中器件的底電極通常采用透明的金屬氧化物導電材料,如ITO (indium tin oxide)和FTO (fluorine-doped tin oxide ),同時頂電極通常采用金屬材料,如金、銀、鋁、銅等。
ITO電極含有貴金屬銦,材料稀缺且價格昂貴,同時透明金屬氧化物電極機械性能差、質(zhì)脆,且不適用于溶液加工等方面;金屬電極往往需要真空蒸鍍制備,設備昂貴且工藝復雜。因此,發(fā)展低成本新型的電極材料成為太陽能電池研究的一個重要領域。石墨烯、銀納米線、金屬網(wǎng)格和碳納米管等柔性電極得到發(fā)展。其中導電聚合物聚(3,4-乙撐二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸鹽(PEDOT:PSS)作為電極由于其較好的柔性、透光率和成膜性等被越來越多的人關注。然而,PSS 是一種絕緣體,導致未處理的PEDOT:PSS 薄膜的導電率非常低(低于1.0S cm-1);此外,由于PEDOT 的結晶度不高,阻礙了空穴的傳輸效率和收集效率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決上述技術的不足而提供一種Mxenes-PEDOT:PSS復合柔性電極及太陽能電池器件,使得Mxenes材料與PEDOT:PSS材料復合以提升其導電性。
為了達到上述目的,本發(fā)明所設計的一種Mxenes-PEDOT:PSS復合材料, Mxenes是二維過渡金屬碳化物、氮化物或碳氮化物,組成為Mn+1XnTx,其具有高的電導率(~ 6000-8000S/cm),其中M是早期過渡金屬, X是碳、氮或二者混合物, Tx是表面端基,n = 1, 2或3;Mxenes/PEDOT:PSS雜化膠體溶液通過添加PEDOT:PSS溶液到Mxenes分散液中制得,形成Mxenes-PEDOT:PSS復合材料,。其中Mxenes材料為:Sc2C,Ti2C, Zr2C, Hf2C,Nb2C,V2C,Cr2C,Ta2C、Ti2N、 Mo2C、Ti3C2。
其中Mxenes的制備(以Ti3C2Tx為例,但不限于此):
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





