[發(fā)明專利]半導(dǎo)體清洗設(shè)備的卡盤結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體清洗設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010171113.3
• 申請日: 2020-03-12
• 公開（公告）號: CN111341718B
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許璐;趙宏宇;李愛兵;張凇銘
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體清洗設(shè)備的卡盤結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體清洗設(shè)備，該卡盤結(jié)構(gòu)包括卡盤基體、進(jìn)氣控制裝置和設(shè)置在該卡盤基體中的第一氣體通道和第二氣體通道，二者均用于朝向被加工工件噴出氣體，第一氣體通道的噴氣方向朝向被加工工件的與卡盤基體相對的表面外側(cè)傾斜；第二氣體通道的噴氣方向垂直于被加工工件的與卡盤基體相對的表面；進(jìn)氣控制裝置用于分別向第一氣體通道和第二氣體通道提供氣體，并通過控制氣體流量和氣體壓力的大小，來使被加工工件能夠懸浮于卡盤基體上方的第一高度位置或第二高度位置處，第二高度位置高于第一高度位置。本發(fā)明提供的卡盤結(jié)構(gòu)，其能夠不與晶片發(fā)生物理性接觸，又能夠滿足機(jī)械手的取放要求。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種半導(dǎo)體清洗設(shè)備的卡盤結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體清洗設(shè)備。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體制造的單片清洗設(shè)備領(lǐng)域中，現(xiàn)有的卡盤結(jié)構(gòu)一般可以實(shí)現(xiàn)對晶片的夾持及釋放功能，而部分卡盤為了方便機(jī)械手取片，需要在卡盤釋放晶片的同時將晶片自卡盤抬升一小段距離。

現(xiàn)階段，一般通過頂針的物理接觸方法來實(shí)現(xiàn)晶片的抬升。但是，在頂針與晶片背面接觸時，容易造成晶片污染或刮傷晶片背面。而且，在例如晶片背面清洗的一些工藝中，需要晶片的正面朝下，這種情況更不允許卡盤與晶片有物理性接觸。因此，目前亟需一種能夠不與晶片發(fā)生物理性接觸，同時又能夠協(xié)助機(jī)械手快速取片的卡盤結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種半導(dǎo)體清洗設(shè)備的卡盤結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體清洗設(shè)備，其能夠不與晶片發(fā)生物理性接觸，同時又能夠滿足機(jī)械手的取放要求。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體清洗設(shè)備的卡盤結(jié)構(gòu)，包括用于承載被加工工件的卡盤基體，還包括設(shè)置在所述卡盤基體中的第一氣體通道和第二氣體通道，及進(jìn)氣控制裝置；其中，

所述第一氣體通道和第二氣體通道均用于朝向所述被加工工件噴出氣體，其中，所述第一氣體通道的噴氣方向朝向所述被加工工件的與所述卡盤基體相對的表面外側(cè)傾斜；所述第二氣體通道的噴氣方向垂直于所述被加工工件的與所述卡盤基體相對的表面；

所述進(jìn)氣控制裝置用于向所述第一氣體通道或第二氣體通道提供氣體，并通過控制氣體流量和氣體壓力的大小，來使所述被加工工件能夠懸浮于所述卡盤基體上方的第一高度位置或第二高度位置處，所述第二高度位置高于所述第一高度位置。

可選的，所述第一氣體通道包括沿所述卡盤基體的周向間隔設(shè)置的多條傾斜通道，各所述傾斜通道的出氣口位于所述卡盤基體的與所述被加工工件相對的表面上，并且各所述傾斜通道的軸線與所述卡盤基體的與所述被加工工件相對的表面之間呈夾角。

可選的，所述第一氣體通道還包括第一氣腔，所述第一氣腔設(shè)置在所述卡盤基體中，且與各所述傾斜通道的進(jìn)氣口連接，所述第一氣腔與所述進(jìn)氣控制裝置連接。

可選的，所述卡盤基體包括承載基體和第一蓋板，其中，在所述承載基體上，且位于與所述被加工工件相對的表面設(shè)置有第一凹部，所述第一蓋板設(shè)置在所述第一凹部中，且在所述第一蓋板的背離所述被加工工件的表面與所述第一凹部之間構(gòu)成用作所述第一氣腔的第一封閉空間；

各所述傾斜通道設(shè)置在所述第一蓋板中，且各所述傾斜通道的出氣口位于所述第一蓋板的與所述被加工工件相對的表面上。

可選的，所述第二氣體通道包括沿所述卡盤基體的周向間隔設(shè)置的多條垂直通道，各所述垂直通道的出氣口均位于所述卡盤基體的與所述被加工工件相對的表面上，且各所述垂直通道的軸線與所述卡盤基體的與所述被加工工件相對的表面相互垂直。

可選的，所述第二氣體通道還包括第二氣腔，所述第二氣腔設(shè)置在所述卡盤基體中，且與各所述垂直通道的進(jìn)氣口連接，所述第二氣腔與所述進(jìn)氣控制裝置連接。