[發(fā)明專利]可重構(gòu)的電容觸控陣列及其重構(gòu)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010170932.6
• 申請日: 2020-03-12
• 公開（公告）號: CN111309196B
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳彬;柯建源;鄧聯(lián)文;于天寶;廖聰維;羅衡;黃生祥;吳瀟楠
• 申請（專利權(quán)）人: 湖南銳陽電子科技有限公司;中南大學(xué)
• 主分類號: G06F3/044
• 分類號: G06F3/044;G06V40/13
• 代理公司: 長沙永星專利商標事務(wù)所(普通合伙) 43001
• 代理人: 周詠;米中業(yè)

1.一種可重構(gòu)的電容觸控陣列，其特征在于在每一個觸控傳感單元中串接若干個阻抗可變的器件，從而實現(xiàn)可重構(gòu)的電容觸控陣列；阻抗可變的器件與觸控傳感單元的等效電容串接；阻抗可變的器件串接在觸控傳感單元的Tx[i]的線路上；

可重構(gòu)的電容觸控陣列包括觸控基板、Rx電極層和Tx電極層，Rx電極層由氧化銦錫構(gòu)成且附著于觸控基板的一面，觸控基板的另一面附著有Tx電極層，Tx電極層包括鉑層、氧化鋯層和鈦層；鉑層與觸控基板直接接觸且形成互聯(lián)結(jié)構(gòu)；鈦層附著在氧化鋯層上，并形成互聯(lián)結(jié)構(gòu)；氧化鋯層位于鉑層和鈦層之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可重構(gòu)的電容觸控陣列，其特征在于所述的Tx電極層中，鉑層的厚度為200nm；氧化鋯層的厚度為40nm；鈦層的厚度為200nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可重構(gòu)的電容觸控陣列，其特征在于所述的Tx電極層中，采用三次磁控濺射工藝形成鉑層、氧化鋯層和鈦層，然后再通過一次光刻及刻蝕工藝形成設(shè)定的Tx電極層圖案。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可重構(gòu)的電容觸控陣列，其特征在于對于每一個Tx電極層的子電極圖案Tx[i]，均包括獨立的鉑層、氧化鋯層和鈦層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可重構(gòu)的電容觸控陣列，其特征在于對于每一個Tx電極層的子電極圖案Tx[i]，均包括獨立的氧化鋯層和鈦層，且所有的Tx電極層的子電極圖案Tx[i]共用一個鉑層，鉑層與Rx電極層對應(yīng)，且在相同的位置以相同的方向進行延展。

6.一種權(quán)利要求1~5之一所述的可重構(gòu)的電容觸控陣列的重構(gòu)方法，包括如下步驟：

編程態(tài)的步驟：

保持Ty[1]~ Ty[n]電極低電平電壓，Rx電極均為懸浮態(tài)：Tx[i]電極從0電平逐步上升值高電平電壓V_SET，或者從0電平逐步下降至低電平電壓V_RST；

當Tx[i]電極從0電平逐步上升至高電平電壓V_SET時，RRAM的正、負電極之間形成導(dǎo)電細絲；因此，RRAM進入高導(dǎo)通帶，RRAM的等效電阻值降低；

當Tx[i]電極從0電平逐步下降至低電平電壓V_RST時，由于導(dǎo)電細絲斷開，RRAM進入低導(dǎo)通態(tài)，RRAM的等效電阻值增加；

觸控讀出態(tài)的步驟：

保持Ty電極均為懸浮態(tài)，Tx[n]電極逐行輸出驅(qū)動信號，從而在Rx[n]電極上感應(yīng)相應(yīng)像素上的電容值大小；

空閑態(tài)的步驟：

保持所有的Tx電極和Rx電極均為懸浮態(tài)。