[發明專利]一種陣列基板、顯示面板

有效

• 申請號: 202010170492.4
• 申請日: 2020-03-12
• 公開（公告）號: CN111308802B
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 陳亞妮
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

1.一種陣列基板，其特征在于，包括在基板上陣列分布的子像素，每一所述子像素均包括主區、第一次區和第二次區；

對應每一行所述子像素設置一條柵極線，所述柵極線位于所述主區與所述第二次區之間，對應每一列所述子像素設置一條數據線和一條分壓線，相鄰兩所述數據線界定出像素邊界，所述分壓線位于相鄰兩所述數據線之間；

像素電極，包括對應所述主區設置的主像素電極、對應所述第一次區設置的第一次像素電極以及對應所述第二次區設置的第二次像素電極；

所述子像素還包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管以及第四薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管與所述第一次像素電極電連接，所述第二薄膜晶體管與所述主像素電極電連接，所述第三薄膜晶體管與所述第二次像素電極電連接，所述第四薄膜晶體管與所述分壓線電連接；

其中，所述第二薄膜晶體管的溝道長徑比大于所述第一薄膜晶體管的溝道長徑比以及所述第三薄膜晶體管的溝道長徑比；

所述陣列基板還包括公共電極，所述公共電極與所述柵極線同層設置，所述公共電極對應所述主區、所述第一次區和所述第二次區設置。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管的溝道長徑比與所述第三薄膜晶體管的溝道長徑比相同。

3.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述子像素的所述主像素電極與所述公共電極之間形成第一電位差，所述第一次像素電極與所述公共電極之間形成第二電位差，所述第二次像素電極與所述公共電極之間形成第三電位差，且所述第一電位差大于所述第三電位差，所述第三電位差大于所述第二電位差。

4.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一薄膜晶體管的柵極與所述柵極線電連接，源極與所述數據線電連接，漏極分別與所述第一次像素電極、所述公共電極以及所述第三薄膜晶體管的源極電連接；

所述第二薄膜晶體管的柵極與所述柵極線電連接，源極與所述數據線電連接，漏極分別與所述主像素電極以及所述公共電極電連接；

所述第三薄膜晶體管的柵極與所述柵極線電連接，漏極分別與所述第二次像素電極、所述公共電極以及所述第四薄膜晶體管的源極電連接；

所述第四薄膜晶體管的柵極與所述柵極線電連接，漏極與所述分壓線電連接。

5.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一薄膜晶體管的柵極與所述柵極線電連接，源極與所述數據線電連接，漏極分別與所述第一次像素電極以及所述公共電極電連接；

所述第二薄膜晶體管的柵極與所述柵極線電連接，源極與所述數據線電連接，漏極分別與所述主像素電極以及所述公共電極電連接；

所述第三薄膜晶體管的柵極與所述柵極線電連接，源極與所述數據線電連接，漏極分別與所述第二次像素電極、所述公共電極以及所述第四薄膜晶體管的源極電連接；

所述第四薄膜晶體管的柵極與所述柵極線電連接，漏極與所述分壓線電連接。

6.如權利要求4或5所述的陣列基板，其特征在于，所述子像素還包括對應所述主區的主存儲電容和主液晶電容，對應所述第一次區的第一次存儲電容和第一次液晶電容，對應所述第二次區的第二次存儲電容和第二次液晶電容。

7.如權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一次存儲電容的第一極板以及所述第一次液晶電容的第一極板均與所述第一薄膜晶體管的漏極電連接，所述第一次存儲電容的第二極板與所述第一次像素電極電連接，所述第一次液晶電容的第二極板與所述公共電極電連接；

所述主存儲電容的第一極板以及所述主液晶電容的第一極板均與所述第二薄膜晶體管的漏極電連接，所述主存儲電容的第二極板與所述主像素電極電連接，所述主液晶電容的第二極板與所述公共電極電連接；

所述第二次存儲電容的第一極板以及所述第二次液晶電容的第一極板均與所述第三薄膜晶體管的漏極電連接，所述第二次存儲電容的第二極板與所述第二次像素電極電連接，所述第二次液晶電容的第二極板與所述公共電極電連接。