[發(fā)明專(zhuān)利]二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010169667.X
• 申請(qǐng)日: 2015-04-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111261865B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹永太;樸勝哲;樸禪;徐僖英;樸智惠;李庸懿;金哲煥
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 納新有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01M4/36
• 分類(lèi)號(hào): H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M4/00;H01M4/02;H01M4/04;H01M4/1395;C01B33/113;C01B33/18
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 柳春琦

1.相接觸的硅類(lèi)活性物質(zhì)復(fù)合物，其特征在于，所述硅類(lèi)活性物質(zhì)復(fù)合物包含：

具有硅的芯部及硅氧化物殼的粒子，所述硅氧化物殼是由所述硅的至少一部分氧化而成，

相對(duì)于所述硅及所述硅氧化物的總重量，氧的含量為9％至20％重量百分比之間，

其中所述硅的芯部為非晶質(zhì)或具有低結(jié)晶度，

其中所述硅類(lèi)活性物質(zhì)復(fù)合物的粒子的平均直徑在30nm至300nm的范圍內(nèi)，

其中所述硅類(lèi)活性物質(zhì)復(fù)合物還包含在其最外圍的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層用于使相接觸的硅類(lèi)活性物質(zhì)復(fù)合物之間的電連接，

其中所述硅類(lèi)活性物質(zhì)復(fù)合物是由以下的制備方法所制備，包括：

提供硅的粒子的步驟；以及

通過(guò)對(duì)所述硅的粒子進(jìn)行氧化，來(lái)形成包含具有硅的芯部及硅氧化物殼的粒子的硅類(lèi)活性物質(zhì)復(fù)合物的步驟；所述硅氧化物殼是由所述硅的一部分氧化而成；

在對(duì)所述硅的粒子進(jìn)行氧化的步驟中，在含氧液相溶劑內(nèi)，以化學(xué)氧化的方式對(duì)所述硅的粒子進(jìn)行氧化；

所述硅的粒子包含通過(guò)對(duì)硅的粗顆粒進(jìn)行粉碎或磨碎的工序獲得的精細(xì)粒子；

所述粉碎或磨碎的工序是對(duì)含有硅的粗顆粒及含氧液相溶劑的漿料進(jìn)行，同時(shí)借助從所述粉碎或磨碎工序誘導(dǎo)出的壓縮以及剪應(yīng)力中的至少一種來(lái)使所述硅的粒子化學(xué)氧化。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅類(lèi)活性物質(zhì)復(fù)合物，其特征在于，所述硅氧化物殼的厚度在2nm至30nm的范圍內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅類(lèi)活性物質(zhì)復(fù)合物，其特征在于，所述硅氧化物殼的厚度在3nm至15nm的范圍內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅類(lèi)活性物質(zhì)復(fù)合物，其特征在于，所述硅類(lèi)活性物質(zhì)復(fù)合物的粒子的平均直徑在30nm至200nm的范圍內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅類(lèi)活性物質(zhì)復(fù)合物，其特征在于，所述導(dǎo)電層還包括碳類(lèi)導(dǎo)電層。