[發明專利]半導體結構的處理方法

在審

• 申請號: 202010166572.2
• 申請日: 2020-03-11
• 公開（公告）號: CN113394074A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 李世鴻
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L27/108;H01L21/762
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;陳麗麗

1.一種半導體結構的處理方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一半導體結構，所述半導體結構包括基底以及位于所述基底表面區域的若干個刻蝕結構；

形成至少覆蓋所述刻蝕結構內壁的過渡層，所述過渡層用于減少流體對所述刻蝕結構的毛細管力及當作修復倒塌結構的犧牲層；

干燥所述半導體結構；

去除所述過渡層。

2.根據權利要求1所述的半導體結構的處理方法，其特征在于，所述刻蝕結構為溝槽，且位于所述基底的表面區域的所述溝槽的數量為多個；

所述溝槽的深度與所述溝槽的最小寬度之間的比值大于8。

3.根據權利要求2所述的半導體結構的處理方法，其特征在于，多個所述溝槽平行排列于所述基底的表面區域；

相鄰所述溝槽之間的圖形線寬小于20nm。

4.根據權利要求2所述的半導體結構的處理方法，其特征在于，提供一半導體結構具體包括如下步驟：

提供基底；

刻蝕所述基底，于所述基底的表面區域形成多個所述溝槽，所述溝槽底部延伸至基底內部，以形成所述半導體結構；

清潔所述半導體結構，除去刻蝕形成所述溝槽之后的雜質。

5.根據權利要求4所述的半導體結構的處理方法，其特征在于，清潔所述半導體結構的具體步驟包括：

采用等離子體灰化工藝處理所述半導體結構，除去刻蝕形成所述溝槽之后的聚合物殘留；

采用濕法清洗工藝處理所述半導體結構，除去刻蝕以及灰化過程之后的副產物和污染物。

6.根據權利要求5所述的半導體結構的處理方法，其特征在于，采用等離子體灰化工藝處理所述半導體結構的具體步驟包括：

用等離子體化的氧氣對所述半導體結構表面進行灰化處理，以去除在刻蝕形成所述溝槽之后的所述聚合物殘留。

7.根據權利要求2所述的半導體結構的處理方法，其特征在于，形成至少覆蓋所述刻蝕結構內壁的過渡層的具體步驟包括：

氧化所述半導體結構，形成至少覆蓋所述溝槽內壁的氧化層，所述氧化層即為所述過渡層。

8.根據權利要求7所述的半導體結構的處理方法，其特征在于，氧化所述半導體結構的具體步驟包括：

用氧化性液體處理所述半導體結構，所述氧化性液體至少填充滿所述溝槽；

所述氧化性液體為臭氧去離子水溶液或者為氨水與雙氧水的混合溶液。

9.根據權利要求8所述的半導體結構的處理方法，其特征在于，用氧化性液體處理所述半導體結構的具體步驟包括：

向旋轉的所述半導體結構表面噴射所述氧化性液體，浸潤所述半導體結構。

10.根據權利要求7所述的半導體結構的處理方法，其特征在于，所述氧化層的厚度為。

11.根據權利要求7所述的半導體結構的處理方法，其特征在于，去除所述過渡層的具體步驟包括：

采用氟化氫和氨氣的混合氣體作為刻蝕氣體，去除所述過渡層。

12.根據權利要求11所述的半導體結構的處理方法，其特征在于，氟化氫和氨氣的混合氣體作為刻蝕氣體刻蝕去除的所述過渡層與所述基底的總厚度為1nm～10nm。

13.根據權利要求11所述的半導體結構的處理方法，其特征在于，氟化氫與氨氣的流量比為(1～2):1。

14.根據權利要求2所述的半導體結構的處理方法，其特征在于，干燥所述半導體結構的具體步驟包括：

用預設溫度的異丙醇處理所述半導體結構，以去除所述半導體結構表面區域的水分。

15.根據權利要求1所述的半導體結構的處理方法，其特征在于，去除所述過渡層之后，還包括如下步驟：

氣體吹掃所述半導體結構。