[發(fā)明專利]一種物料傳輸裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010165327.X
• 申請日: 2020-03-11
• 公開（公告）號: CN111252536B
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王冰冰
• 申請（專利權(quán)）人: 上海御微半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
• 主分類號: B65G47/90
• 分類號: B65G47/90;B65G29/00;B65G47/24
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發(fā)明實(shí)施例提供一種物料傳輸裝置，包括：基底庫，被配置為存儲基底；機(jī)械手，可拆卸地安裝有叉子，所述叉子被配置為取放所述基底，所述機(jī)械手被配置為通過所述叉子移動所述基底；預(yù)對準(zhǔn)單元，被配置為對基底預(yù)對準(zhǔn)；輸出物料單元，被配置為輸出基板以供后續(xù)工藝處理基底；叉子庫，被配置為存儲至少兩種不同類型的叉子。本發(fā)明實(shí)施例提供一種物料傳輸裝置，以處理至少兩種不同類型的物料。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，尤其涉及一種物料傳輸裝置。

背景技術(shù)

基底(如硅片)是半導(dǎo)體芯片制造中常用的物料對象，在進(jìn)行芯片制造、檢測或者封裝等工藝之前，往往通過一些專用的前端設(shè)備對基底進(jìn)行預(yù)處理。例如，將基底存儲在基底庫中，并從基底庫中取出未處理的基底，對基底進(jìn)行預(yù)對準(zhǔn)，預(yù)對準(zhǔn)后的基底被送至工藝設(shè)備進(jìn)行后續(xù)的工藝處理。

然而，不同的芯片工藝應(yīng)用需要使用不同種類的基底，這些不同種類的基底類型包括標(biāo)準(zhǔn)厚度品(Standard wafers)、減薄片(Thin wafers)，大翹曲片(Warped wafers)等，還可以包括不同尺寸大小的基底，如12英寸和8英寸直徑的基底等。由于不同種類的基底厚度、翹曲程度不同，無法使用單一的方法或裝置對其進(jìn)行處理。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種物料傳輸裝置，以處理至少兩種不同類型的物料。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種物料傳輸裝置，包括：

基底庫，被配置為存儲基底；

機(jī)械手，可拆卸地安裝有叉子，所述叉子被配置為取放所述基底，所述機(jī)械手被配置為通過所述叉子移動所述基底；

預(yù)對準(zhǔn)單元，被配置為對基底預(yù)對準(zhǔn)；

輸出物料單元，被配置為輸出基板，以供后續(xù)工藝處理基底；

叉子庫，被配置為存儲至少兩種不同類型的叉子。

可選地，所述預(yù)對準(zhǔn)單元與所述叉子庫分別位于所述機(jī)械手的相對兩側(cè)；

所述基底庫與所述輸出物料單元分別位于所述機(jī)械手的相對兩側(cè)。

可選地，所述叉子庫包括叉子庫框架以及固定于所述叉子庫框架上的多個叉子存儲層，所述叉子存儲層包括定位銷，所述叉子包括定位孔，所述叉子放置到所述叉子存儲層后，所述定位銷插入所述定位孔中以固定所述叉子，所述多個叉子存儲層沿垂直方向分層排列。

可選地，所述叉子存儲層包括氣缸以及頂桿；所述頂桿與所述氣缸相連接，并在所述氣缸驅(qū)動下沿著所述叉子存儲層所在平面內(nèi)伸縮運(yùn)動；

所述叉子包括叉子表面凸起，所述叉子放置到所述叉子存儲層后，所述叉子表面凸起位于所述頂桿遠(yuǎn)離所述氣缸一側(cè)。

可選地，包括至少兩個預(yù)對準(zhǔn)單元，以對至少兩種不同類型的基底預(yù)對準(zhǔn)。

可選地，所述至少兩個預(yù)對準(zhǔn)單元包括第一預(yù)對準(zhǔn)單元和第二預(yù)對準(zhǔn)單元，所述第一預(yù)對準(zhǔn)單元與所述第二預(yù)對準(zhǔn)單元在垂直方向上疊置，所述第一預(yù)對準(zhǔn)單元與所述第二預(yù)對準(zhǔn)單元被配置為對兩種不同類型的基底預(yù)對準(zhǔn)。

可選地，所述第一預(yù)對準(zhǔn)單元包括第一轉(zhuǎn)臺、固定于所述第一轉(zhuǎn)臺的多個真空吸附腔體、多個吸盤和第一電荷耦合器件；

所述多個吸盤被配置為在所述第一預(yù)對準(zhǔn)單元中暫存所述基底，所述第一轉(zhuǎn)臺被配置為在垂直方向升降，并在升起時從所述多個吸盤上頂起所述基底，并在所述第一電荷耦合器件輔助下實(shí)現(xiàn)預(yù)對準(zhǔn)；

所述第二預(yù)對準(zhǔn)單元包括第二轉(zhuǎn)臺、U型暫存部和第二電荷耦合器件；

所述U型暫存部位于所述第二轉(zhuǎn)臺的外圍，被配置為在所述第二預(yù)對準(zhǔn)單元中暫存所述基底；所述第二轉(zhuǎn)臺被配置為在垂直方向升降，并在升起時從所述U型暫存部頂起所述基底，并在所述第二電荷耦合器件輔助下實(shí)現(xiàn)預(yù)對準(zhǔn)。