[發(fā)明專(zhuān)利]一種上電緩沖電阻的性能測(cè)試方法、裝置及設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010164844.5
• 申請(qǐng)日: 2020-03-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111157831B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡陳;陳楷盛;陳建權(quán)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 浙江禾川科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01R31/00
• 分類(lèi)號(hào): G01R31/00;G01R19/00
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 薛嬌

本發(fā)明公開(kāi)了一種上電緩沖電阻的性能測(cè)試方法，考慮到待測(cè)緩沖電阻在損壞后通常會(huì)形成斷路，直流電源便無(wú)法正常地通過(guò)待測(cè)緩沖電阻為儲(chǔ)能電容充電，因此本申請(qǐng)可以在儲(chǔ)能電容被充電預(yù)設(shè)時(shí)段后且儲(chǔ)能電容的電壓值不大于預(yù)設(shè)閾值的情況下判定待測(cè)緩沖電阻失效，能夠準(zhǔn)確地對(duì)上電緩沖電阻的性能進(jìn)行測(cè)試，也即能夠在已知上電緩沖電阻性能的情況下對(duì)伺服驅(qū)動(dòng)器或者變頻器進(jìn)行使用，消除了安全隱患。本發(fā)明還公開(kāi)了一種上電緩沖電阻的性能測(cè)試裝置及設(shè)備，具有如上上電緩沖電阻的性能測(cè)試相同的有益效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電路元件測(cè)試領(lǐng)域，特別是涉及一種上電緩沖電阻的性能測(cè)試方法，本發(fā)明還涉及一種上電緩沖電阻的性能測(cè)試裝置及設(shè)備。

背景技術(shù)

伺服驅(qū)動(dòng)器或者變頻器的主回路通常都包括整流電路，第一端與整流電路的輸出端連接，第二端與儲(chǔ)能電容連接的上電緩沖電阻以及儲(chǔ)能電容，整流電路可以將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，儲(chǔ)能電容可以將直流電儲(chǔ)存起來(lái)并向后端負(fù)載提供穩(wěn)定的直流電，由于儲(chǔ)能電容在上電的瞬間相當(dāng)于短路，因此上電緩沖電阻可以在儲(chǔ)能電容的通電瞬間承受極大的電流防止電源燒壞，但是因此對(duì)上電緩沖電阻的要求也就較高，現(xiàn)有技術(shù)中沒(méi)有一套成熟地測(cè)試上電緩沖電阻性能的裝置，無(wú)法對(duì)上電緩沖電阻的耐損性能進(jìn)行測(cè)試，在上電緩沖電阻性能未知的情況下對(duì)伺服驅(qū)動(dòng)器或者變頻器貿(mào)然進(jìn)行使用則會(huì)存在一定安全隱患。

因此，如何提供一種解決上述技術(shù)問(wèn)題的方案是本領(lǐng)域技術(shù)人員目前需要解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種上電緩沖電阻的性能測(cè)試方法，能夠準(zhǔn)確地對(duì)上電緩沖電阻的性能進(jìn)行測(cè)試，也即能夠在已知上電緩沖電阻性能的情況下對(duì)伺服驅(qū)動(dòng)器或者變頻器進(jìn)行使用，消除了安全隱患；本發(fā)明的另一目的是提供一種上電緩沖電阻的性能測(cè)試裝置及設(shè)備，能夠準(zhǔn)確地對(duì)上電緩沖電阻的性能進(jìn)行測(cè)試，也即能夠在已知上電緩沖電阻性能的情況下對(duì)伺服驅(qū)動(dòng)器或者變頻器進(jìn)行使用，消除了安全隱患。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種上電緩沖電阻的性能測(cè)試方法，包括：

控制直流電源通過(guò)待測(cè)緩沖電阻為儲(chǔ)能電容充電；

在所述儲(chǔ)能電容被充電預(yù)設(shè)時(shí)段后判斷所述儲(chǔ)能電容的電壓值是否大于預(yù)設(shè)閾值；

若否，則判定所述待測(cè)緩沖電阻失效。

優(yōu)選地，在所述儲(chǔ)能電容被充電預(yù)設(shè)時(shí)段后判斷所述儲(chǔ)能電容的電壓值是否大于預(yù)設(shè)閾值之后，該上電緩沖電阻的性能測(cè)試方法還包括：

若所述儲(chǔ)能電容的電壓值大于所述預(yù)設(shè)閾值，則控制所述直流電源停止為所述儲(chǔ)能電容供電，并控制電能泄放模塊泄放所述儲(chǔ)能電容中的電能。

優(yōu)選地，所述控制所述電能泄放模塊泄放所述儲(chǔ)能電容中的電能之后，該上電緩沖電阻的性能測(cè)試方法還包括：

將初始值為0的測(cè)試次數(shù)加一；

判斷所述測(cè)試次數(shù)是否達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)；

若否，則返回控制直流電源通過(guò)待測(cè)緩沖電阻為儲(chǔ)能電容充電的步驟。

優(yōu)選地，所述判斷所述儲(chǔ)能電容的電壓值是否大于預(yù)設(shè)閾值具體為：

通過(guò)電壓檢測(cè)模塊獲取所述儲(chǔ)能電容的電壓值；

判斷所述儲(chǔ)能電容的電壓值是否大于預(yù)設(shè)閾值；

則所述電壓檢測(cè)模塊包括：

第一端與所述儲(chǔ)能電容的第一端連接，第二端分別與第二分壓電阻的第一端以及處理器連接的第一分壓電阻；

第二端分別與所述儲(chǔ)能電容的第二端以及所述處理器連接的所述第二分壓電阻。

優(yōu)選地，所述控制所述直流電源停止為所述儲(chǔ)能電容供電，并控制所述電能泄放模塊泄放所述儲(chǔ)能電容中的電能具體為：