[發明專利]半導體設備封裝及其制造方法

在審

• 申請號: 202010164831.8
• 申請日: 2020-03-11
• 公開（公告）號: CN113130424A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 陳馨恩;黃泓憲;唐心陸
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/373
• 分類號: H01L23/373;H01L23/367;H01L23/495;B82Y40/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

一種半導體設備封裝及其制造方法。半導體設備封裝包含半導體裸片和各向異性導熱結構。所述半導體裸片包含第一表面、與所述第一表面相對的第二表面和使所述第一表面與所述第二表面連接的邊緣。所述各向異性導熱結構在不同方向上具有不同導熱率。所述各向異性導熱結構包含至少兩個膜堆疊對，且每一所述膜堆疊對包括交替堆疊的金屬膜和納米結構膜。所述各向異性導熱結構包括安置于所述半導體裸片的所述第一表面上的第一導熱區段，且所述第一導熱區段比所述半導體裸片寬。

技術領域

本公開涉及一種具有高熱耗散效果的半導體設備封裝及其制造方法。

背景技術

半導體行業見證了在半導體設備封裝中的多種電子組件的集成密度的增長。這種增大的集成密度通常促成半導體設備封裝中的增大的功率密度。隨著半導體設備封裝的功率密度增長，熱耗散成為待解決的問題。

發明內容

在一些實施例中，一種半導體設備封裝包含半導體裸片和各向異性導熱結構。所述半導體裸片包含第一表面、與所述第一表面相對的第二表面和使所述第一表面與所述第二表面連接的邊緣。所述各向異性導熱結構在不同方向上具有不同導熱率。所述各向異性導熱結構包含至少兩個膜堆疊對，且每一所述膜堆疊對包括交替堆疊的金屬膜和納米結構膜。所述各向異性導熱結構包括安置于所述半導體裸片的所述第一表面上的第一導熱區段，且所述第一導熱區段比所述半導體裸片寬。

在一些實施例中，一種半導體設備封裝包含半導體裸片、第一導熱區段和第二導熱區段。半導體裸片包含第一表面、與第一表面相對的第二表面和使第一表面與第二表面連接的邊緣。第一導熱區段安置于半導體裸片的第一表面上。第一導熱區段包含至少兩個膜堆疊對，且第一導熱區段的每一膜堆疊對包含交替堆疊的金屬膜和納米結構膜。第二導熱區段鄰近于半導體裸片的邊緣中的至少一個且連接到第一導熱區段。

在一些實施例中，一種半導體設備封裝包含引線框架、半導體裸片和包封體。引線框架包含裸片襯墊、從裸片襯墊延伸的多個支撐桿和間隔開裸片襯墊的多個指狀件。引線框架包含至少兩個膜堆疊對，且引線框架的每一膜堆疊對包含交替堆疊的金屬膜和納米結構膜。半導體裸片安置于裸片襯墊上且電連接到指狀件。包封體密封引線框架和半導體裸片。

附圖說明

當結合附圖閱讀時，從以下具體實施方式易于理解本公開的一些實施例的各方面。各種結構可能未按比例繪制，且各種結構的尺寸可出于論述的清楚起見而任意增大或減小。

圖1為根據本公開的一些實施例的半導體電子設備封裝的示意性俯視圖。

圖1A為沿圖1中的線A-A'截取的半導體設備封裝的示意性橫截面圖。

圖1B為根據本公開的一些實施例的各向異性導熱結構的示意性放大橫截面圖。

圖2為根據本公開的一些實施例的半導體設備封裝的示意性橫截面圖。

圖3為根據本公開的一些實施例的半導體設備封裝的示意性橫截面圖。

圖4為根據本公開的一些實施例的半導體設備封裝的示意性橫截面圖。

圖5為根據本公開的一些實施例的半導體電子設備封裝的示意性俯視圖。

圖5A為沿圖5中的線B-B'截取的半導體設備封裝的示意性橫截面圖。

圖6為根據本公開的一些實施例的半導體設備封裝的示意性橫截面圖。

圖7為根據本公開的一些實施例的半導體設備封裝的示意性橫截面圖。

圖8為根據本公開的一些實施例的半導體電子設備封裝的示意性透視圖。

圖8A為沿圖8中的線C-C'截取的半導體設備封裝的示意性橫截面圖。

圖8B為沿圖8中的線D-D'截取的半導體設備封裝的示意性橫截面圖。