[發明專利]改善RRAM阻變結構下電極凹陷的方法在審
| 申請號： | 202010164405.4 | 申請日： | 2020-03-10 |
| 公開（公告）號： | CN111244273A | 公開（公告）日： | 2020-06-05 |
| 發明（設計）人： | 楊鈺;趙正元;李虎 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 rram 結構 電極 凹陷 方法 | ||
1.一種改善RRAM阻變結構下電極凹陷的方法，其特征在于，包括：
提供襯底，在所述襯底上形成第一通孔；
在所述第一通孔內填充銅，并研磨銅表面使得表面平整；
在所述襯底和銅表面形成刻蝕阻擋層，研磨所述刻蝕阻擋層使得所述刻蝕阻擋層的表面平整；
在所述刻蝕阻擋層內形成第二通孔，填充所述第二通孔形成RRAM阻變結構的下電極。
2.如權利要求1所述的改善RRAM阻變結構下電極凹陷的方法，其特征在于，在所述襯底和銅表面形成刻蝕阻擋層，研磨所述刻蝕阻擋層使得所述刻蝕阻擋層平整的一種方法包括：將所述刻蝕阻擋層分多為多步沉積，每次沉積之后對含碳氮化硅的表面進行研磨。
3.如權利要求2所述的改善RRAM阻變結構下電極凹陷的方法，其特征在于，在所述襯底和銅表面形成刻蝕阻擋層，研磨所述刻蝕阻擋層使得所述刻蝕阻擋層平整的另一種方法包括：一次性沉積完刻蝕阻擋層并且研磨使得表面平整。
4.如權利要求3所述的改善RRAM阻變結構下電極凹陷的方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料包括含碳氮化硅或氮化硅。
5.如權利要求1所述的改善RRAM阻變結構下電極凹陷的方法，其特征在于，所述襯底為氧化物層。
6.如權利要求5所述的改善RRAM阻變結構下電極凹陷的方法，其特征在于，所述氧化物為超低介電常數材料。
7.如權利要求1所述的改善RRAM阻變結構下電極凹陷的方法，其特征在于，填充所述第二通孔的方法包括：向所述第二通孔填充TaN或者TiN。
8.如權利要求1所述的改善RRAM阻變結構下電極凹陷的方法，其特征在于，研磨銅表面導致所述襯底表面形成有凹陷。
9.如權利要求1所述的改善RRAM阻變結構下電極凹陷的方法，其特征在于，形成RRAM阻變結構的下電極之后，所述改善RRAM阻變結構下電極凹陷的方法還包括：在所述第二通孔和所述刻蝕阻擋層上依次形成鉭氧化物層、鉭層和上電極。
10.如權利要求9所述的改善RRAM阻變結構下電極凹陷的方法，其特征在于，所述上電極的材料包括TiN或TaN。
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