[發(fā)明專利]套刻誤差的補(bǔ)償方法、曝光系統(tǒng)、服務(wù)器及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010162595.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113376969A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 董鵬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F7/20 | 分類號(hào): | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 誤差 補(bǔ)償 方法 曝光 系統(tǒng) 服務(wù)器 可讀 存儲(chǔ) 介質(zhì) | ||
本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種套刻誤差的補(bǔ)償方法、曝光系統(tǒng)、服務(wù)器及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。本發(fā)明中,套刻誤差的補(bǔ)償方法應(yīng)用于晶圓,包括:獲取已曝光晶圓的套刻誤差;將所述已曝光晶圓劃分為若干區(qū)域;根據(jù)各所述區(qū)域?qū)?yīng)的套刻誤差分別計(jì)算各所述區(qū)域?qū)?yīng)的補(bǔ)償值;利用所述補(bǔ)償值分別對(duì)待曝光晶圓的相應(yīng)區(qū)域進(jìn)行補(bǔ)償。本發(fā)明提供的套刻誤差的補(bǔ)償方法、曝光系統(tǒng)、服務(wù)器及可讀存儲(chǔ)介質(zhì),能夠提高晶圓的套刻誤差補(bǔ)償精度,提高產(chǎn)品良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種套刻誤差的補(bǔ)償方法、晶圓曝光系統(tǒng)、服務(wù)器及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。
背景技術(shù)
晶圓在光刻制程過(guò)程中,曝光顯影后的圖形(當(dāng)層),必須與晶圓襯底上的已有圖形(前層)對(duì)準(zhǔn),才能保證各器件之間的連接正確。曝光圖形的當(dāng)層和前層之間的相對(duì)位置稱為套刻誤差(Overlay)。套刻誤差太大會(huì)造成器件短路或斷路,影響產(chǎn)品良率。現(xiàn)有技術(shù)中,套刻誤差補(bǔ)償方法是綜合計(jì)算晶圓表面各個(gè)量測(cè)點(diǎn),得出最佳值,對(duì)整張晶圓進(jìn)行平均補(bǔ)償。
發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問(wèn)題:由于不同的位置可能會(huì)產(chǎn)生較大差異的套刻誤差,采用相同的補(bǔ)償值對(duì)整張晶圓進(jìn)行平均補(bǔ)償?shù)姆椒ǎa(bǔ)償之后晶圓整體的套刻誤差殘留還是較大,產(chǎn)品良率仍有待提高。雖然利用光刻套刻對(duì)準(zhǔn)補(bǔ)償子程式(Gridmapper subrecipe)可以對(duì)晶圓進(jìn)行非均勻的補(bǔ)償,但是Gridmapper subrecipe的建立需要收集大量的數(shù)據(jù)點(diǎn),同時(shí)需要手動(dòng)更新,一旦晶圓制程工藝發(fā)生較大的變異,Gridmapper subrecipe無(wú)法及時(shí)對(duì)晶圓進(jìn)行有效補(bǔ)償。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施方式的目的在于提供一種套刻誤差的補(bǔ)償方法、晶圓曝光系統(tǒng)、服務(wù)器及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),能夠減小晶圓的套刻誤差,提高產(chǎn)品良率。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明的實(shí)施方式提供了一種套刻誤差的補(bǔ)償方法,應(yīng)用于晶圓,包括:獲取已曝光晶圓的套刻誤差;將所述已曝光晶圓劃分為若干區(qū)域;根據(jù)各所述區(qū)域?qū)?yīng)的所述套刻誤差分別計(jì)算各所述區(qū)域?qū)?yīng)的補(bǔ)償值;利用所述補(bǔ)償值分別對(duì)待曝光晶圓的相應(yīng)區(qū)域進(jìn)行補(bǔ)償。
本發(fā)明的實(shí)施方式還提供了一種晶圓曝光系統(tǒng),包括:控制裝置、以及與所述控制裝置相連的獲取裝置和光刻機(jī);所述獲取裝置,用于獲取已曝光晶圓的套刻誤差;所述控制裝置,用于將所述已曝光晶圓劃分為若干區(qū)域,分別根據(jù)各所述區(qū)域相應(yīng)的套刻誤差計(jì)算各所述區(qū)域?qū)?yīng)的補(bǔ)償值;所述光刻機(jī),用于利用所述補(bǔ)償值,分別對(duì)待曝光晶圓的相應(yīng)區(qū)域進(jìn)行補(bǔ)償并曝光。
本發(fā)明的實(shí)施方式還提供了一種服務(wù)器,包括:至少一個(gè)處理器;以及,與所述至少一個(gè)處理器通信連接的存儲(chǔ)器;其中,所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有可被所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行的指令,所述指令被所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行,以使所述至少一個(gè)處理器能夠執(zhí)行如上述的套刻誤差的補(bǔ)償方法。
本發(fā)明的實(shí)施方式還提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序,所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)上述的套刻誤差的補(bǔ)償方法。
本發(fā)明實(shí)施方式相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言,通過(guò)獲取已曝光晶圓的套刻誤差,將所述已曝光晶圓劃分為若干區(qū)域,根據(jù)各所述區(qū)域?qū)?yīng)的所述套刻誤差分別計(jì)算各所述區(qū)域?qū)?yīng)的補(bǔ)償值,利用所述補(bǔ)償值分別對(duì)待曝光晶圓的相應(yīng)區(qū)域進(jìn)行補(bǔ)償,即,利用已曝光晶圓的不同區(qū)域的套刻誤差,得到不同區(qū)域的補(bǔ)償值,并分別利用各區(qū)域的補(bǔ)償值對(duì)待曝光晶圓的各區(qū)域進(jìn)行補(bǔ)償,從而不僅實(shí)現(xiàn)了針對(duì)晶圓的不同區(qū)域分別進(jìn)行補(bǔ)償,還能根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行不斷更新回補(bǔ),提高了對(duì)晶圓進(jìn)行補(bǔ)償?shù)臏?zhǔn)確性,減小了晶圓的套刻誤差,提高產(chǎn)品良率。
另外,形成所述已曝光晶圓和所述待曝光晶圓的工藝條件相同。如此設(shè)置,使得根據(jù)所述已曝光晶圓的套刻誤差計(jì)算出來(lái)的各區(qū)域的補(bǔ)償值,能夠更好的適用于所述待曝光晶圓的各區(qū)域的補(bǔ)償。
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- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F7-00 圖紋面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工藝;圖紋面照相制版用的材料,如:含光致抗蝕劑的材料;圖紋面照相制版的專用設(shè)備
G03F7-004 .感光材料
G03F7-12 .網(wǎng)屏印刷模或類似印刷模的制作,例如,鏤花模版的制作
G03F7-14 .珂羅版印刷模的制作
G03F7-16 .涂層處理及其設(shè)備
G03F7-20 .曝光及其設(shè)備
- 誤差校準(zhǔn)
- 利用端面誤差調(diào)整徑向誤差裝置
- 利用端面誤差調(diào)整徑向誤差裝置
- 誤差測(cè)定裝置及誤差測(cè)定方法
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- 分度誤差估計(jì)裝置、分度誤差校準(zhǔn)裝置和分度誤差估計(jì)方法
- 誤差擴(kuò)散
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