[發明專利]套刻誤差的補償方法、曝光系統、服務器及可讀存儲介質在審
| 申請號: | 202010162595.6 | 申請日: | 2020-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN113376969A | 公開(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發明(設計)人: | 董鵬 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 誤差 補償 方法 曝光 系統 服務器 可讀 存儲 介質 | ||
1.一種套刻誤差的補償方法,其特征在于,包括:
獲取已曝光晶圓的套刻誤差;
將所述已曝光晶圓劃分為若干區域;
根據各所述區域對應的所述套刻誤差分別計算各所述區域對應的補償值;
利用所述補償值分別對待曝光晶圓的相應區域進行補償。
2.根據權利要求1所述的套刻誤差的補償方法,其特征在于,形成所述已曝光晶圓和所述待曝光晶圓的工藝條件相同。
3.根據權利要求1所述的套刻誤差的補償方法,其特征在于,所述利用所述補償值分別對待曝光晶圓的相應區域進行補償之前,還包括:
判斷所述待曝光晶圓的各區域的物理性質和\或工藝條件與所述套刻誤差是否匹配;
若是,再執行所述利用所述補償值分別對待曝光晶圓的相應區域進行補償的步驟。
4.根據權利要求1所述的套刻誤差的補償方法,其特征在于,所述將所述已曝光晶圓劃分為若干區域,具體包括:
將所述已曝光晶圓劃分為中心區域、以及環繞所述中心區域的邊緣區域或將所述已曝光晶圓劃分為兩個半圓區域。
5.根據權利要求1所述的套刻誤差的補償方法,其特征在于,所述將所述已曝光晶圓劃分為若干區域,具體包括:
根據所述已曝光晶圓的套刻誤差,將所述已曝光晶圓劃分為若干區域。
6.根據權利要求5所述的套刻誤差的補償方法,其特征在于,所述根據所述已曝光晶圓的套刻誤差,將所述已曝光晶圓劃分為若干區域,具體包括:
設置一套刻誤差閾值,將大于或等于所述套刻誤差閾值的套刻誤差的位置分為一區域,將小于所述套刻誤差閾值的套刻誤差的位置分為另一區域。
7.根據權利要求5所述的套刻誤差的補償方法,其特征在于,所述根據所述已曝光晶圓的套刻誤差,將所述已曝光晶圓劃分為若干區域,具體包括:
設置N(N=2)個套刻誤差閾值,根據所述套刻誤差閾值組成的閾值區間將所述已曝光晶圓分為N+1個區域。
8.根據權利要求1所述的套刻誤差的補償方法,其特征在于,
所述補償值為一階補償值,并且所述一階補償值在線更新。
9.根據權利要求8所述的套刻誤差的補償方法,其特征在于,所述補償值包括:旋轉補償值、膨脹補償值和平移補償值中的任一種或其任意組合。
10.一種晶圓曝光系統,其特征在于,包括:控制裝置、以及與所述控制裝置相連的獲取裝置和光刻機;
所述獲取裝置,用于獲取已曝光晶圓的套刻誤差;
所述控制裝置,用于將所述已曝光晶圓劃分為若干區域,根據各所述區域相應的套刻誤差計算各所述區域對應的補償值;
所述光刻機,用于利用所述補償值,分別對待曝光晶圓的相應區域進行補償并曝光。
11.一種服務器,其特征在于,包括:
至少一個處理器;以及,
與所述至少一個處理器通信連接的存儲器;其中,
所述存儲器存儲有可被所述至少一個處理器執行的指令,所述指令被所述至少一個處理器執行,以使所述至少一個處理器能夠執行如權利要求1至10中任一所述的套刻誤差的補償方法。
12.一種計算機可讀存儲介質,存儲有計算機程序,其特征在于,所述計算機程序被處理器執行時實現權利要求1至9任一項所述的套刻誤差的補償方法。
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