[發明專利]半導體存儲裝置

在審

• 申請號: 202010157731.2
• 申請日: 2020-03-09
• 公開（公告）號: CN112038353A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 峯村洋一
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11565
• 分類號: H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種半導體存儲裝置，具備：

半導體層，包含胞區域；

第1接點，沿著與所述半導體層的表面平行的第1方向延伸，且設置在所述半導體層上；

第2接點，沿著所述第1方向延伸，且設置在所述半導體層上，在與所述第1方向交叉的第2方向上與所述第1接點分離配置；

多個第1導電體層，在所述半導體層的上方且所述第1接點及所述第2接點間，相互分離而積層；

多個柱，各自貫通所述多個第1導電體層且設置在所述胞區域內的所述半導體層上，且與所述第1導電體層的交叉部分作為存儲胞發揮功能；

多條分流線，各自沿著所述第2方向延伸，且在所述胞區域內并排設置在所述第1方向，且與所述第1接點及所述第2接點電連接；及

多個第3接點，分別設置在所述分流線與所述第1接點之間、及所述分流線與所述第2接點之間；且

配置在所述第1方向上的端部側的分流線與所述胞區域的所述第1方向上的端部之間的所述第1方向上的第1間隔，比相鄰的兩條分流線間的所述第1方向上的第2間隔更窄。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中

所述第1間隔為所述第2間隔的約一半。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中

在比所述胞區域更靠外側，在所述第1接點及所述第2接點分別未連接第3接點。

4.一種半導體存儲裝置，具備：

半導體層，包含胞區域；

第1接點，沿著與所述半導體層的表面平行的第1方向延伸且設置在所述半導體層上；

第2接點，沿著所述第1方向延伸且設置在所述半導體層上，在與所述第1方向交叉的第2方向上與所述第1接點分離配置；

多個第1導電體層，在所述半導體層的上方且所述第1接點及所述第2接點間，相互分離而積層；

多個柱，各自貫通所述多個第1導電體層，且設置在所述胞區域內的所述半導體層上，與所述第1導電體層的交叉部分作為存儲胞發揮功能；

多條分流線，各自沿著所述第2方向延伸，且在所述胞區域內并排設置在所述第1方向，與所述第1接點及所述第2接點電連接；及

多個第3接點，分別設置在所述分流線與所述第1接點之間、及所述分流線與所述第2接點之間；且

設置在配置在所述第1方向上的端部側的分流線與所述第1接點之間的第3接點的根數，比配置在兩條分流線之間的分流線與所述第1接點之間的第3接點的根數更少。

5.根據權利要求4所述的半導體存儲裝置，其中

配置在所述第1方向的端部側的所述分流線與所述第1接點之間的電阻值，為配置在兩條分流線之間的所述分流線與所述第1接點之間的電阻值的約2倍。

6.根據權利要求4所述的半導體存儲裝置，其中

相鄰的兩條分流線間的所述第1方向上的間隔大致相等，配置在所述第1方向的端部側的所述分流線與所述胞區域的所述第1方向上的端部重疊配置。

7.一種半導體存儲裝置，具備：

半導體層，包含胞區域；

第1接點，沿著與所述半導體層的表面平行的第1方向延伸，且設置在所述半導體層上；

第2接點，沿著所述第1方向延伸且設置在所述半導體層上，在與所述第1方向交叉的第2方向上與所述第1接點分離配置；

多個第1導電體層，在所述半導體層的上方且所述第1接點及所述第2接點間，相互分離而積層；

多個柱，各自貫通所述多個第1導電體層且設置在所述胞區域內的所述半導體層上，與所述第1導電體層的交叉部分作為存儲胞發揮功能；

多條分流線，各自沿著所述第2方向延伸，且在所述胞區域內并排設置在所述第1方向，與所述第1接點及所述第2接點電連接；及

多個第3接點，分別設置在所述分流線與所述第1接點之間、及所述分流線與所述第2接點之間；且

在所述第1方向上的端部側，相鄰的兩條分流線間的第1間隔，比除所述第1方向上的兩端側的分流線以外而相鄰的兩條分流線間的所述第1方向上的第2間隔更寬。