[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010156030.7
• 申請日: 2020-03-09
• 公開（公告）號: CN111326511A
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉艷云;肖亮;陳赫;朱歡
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L27/11551;H01L27/11578;H01L21/768;H01L21/8238;H01L21/8239
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;劉靜

1.一種存儲(chǔ)器件，其中，包括：

襯底；

位于襯底第一表面上的電路結(jié)構(gòu)，所述電路結(jié)構(gòu)包括第一互連結(jié)構(gòu)；

沿所述襯底第二表面向下延伸且到達(dá)所述第一表面的至少一個(gè)通孔；

位于所述通孔側(cè)壁處的阻擋層；以及

位于所述通孔中的第二導(dǎo)電層，所述阻擋層將所述第二導(dǎo)電層與所述襯底隔離，

其中，第二導(dǎo)電層與所述第一互連結(jié)構(gòu)接觸以形成導(dǎo)電通道，所述導(dǎo)電通道用于將所述存儲(chǔ)器件與外部電路結(jié)構(gòu)電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的3D存儲(chǔ)器件，其中，所述阻擋層還位于所述襯底第二表面上方。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中，還包括：

至少一個(gè)所述隔離槽，沿所述襯底第二表面并向下延伸到達(dá)所述襯底第一表面，所述隔離槽中填滿所述阻擋層，相鄰兩個(gè)通孔之間至少設(shè)置一個(gè)所述隔離槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中，所述第二導(dǎo)電層與所述襯底的第二表面平齊。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器件，其中，所述第二導(dǎo)電層還包括位于所述阻擋層上方的部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中，所述第一互連結(jié)構(gòu)貫穿所述電路結(jié)構(gòu)并延伸至所述通孔中。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器件，其中，所述第一互連結(jié)構(gòu)包括：

第一導(dǎo)電層；以及

絕緣層，所述絕緣層位于所述第一導(dǎo)電層與所述襯底之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器件，其中，所述第一導(dǎo)電層暴露于所述通孔中并與所述第二導(dǎo)電層接觸以形成所述導(dǎo)電通道。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器件，其中，所述隔離槽的最大寬度小于所述通孔的最大寬度。

10.一種存儲(chǔ)器件的制造方法，其中，包括：

在襯底第一表面上形成包括第一互連結(jié)構(gòu)的電路結(jié)構(gòu)；

沿所述襯底第二表面并向下延伸形成到達(dá)所述襯底第一表面的至少一個(gè)通孔；

在所述通孔側(cè)壁處形成阻擋層；以及

在通孔中形成第二導(dǎo)電層，所述阻擋層將所述第二導(dǎo)電層與所述襯底隔離，

其中，第二導(dǎo)電層與所述第一互連結(jié)構(gòu)接觸以形成導(dǎo)電通道，所述導(dǎo)電通道用于將所述存儲(chǔ)器件與外部電路結(jié)構(gòu)電連接。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，還包括：

在所述襯底第二表面上方形成阻擋層。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，在沿所述第二表面并向下延伸形成到達(dá)所述第一表面的至少一個(gè)通孔的步驟中還包括：

沿所述襯底第二表面并向下延伸形成到達(dá)所述襯底第一表面的至少一個(gè)隔離槽，相鄰兩個(gè)通孔之間至少設(shè)置一個(gè)所述隔離槽。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，在所述襯底第二表面上方和所述通孔側(cè)壁處形成阻擋層的步驟中還包括：

在所述隔離槽中填滿所述阻擋層。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，在形成所述通孔之前還包括：

將所述襯底翻轉(zhuǎn)；

在所述襯底的第二表面形成犧牲層；以及

在所述犧牲層上形成光學(xué)掩膜，并按照所述光學(xué)掩膜在襯底中形成所述通孔。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，在形成所述阻擋層之前還包括：

將所述光學(xué)掩膜和所述犧牲層去除。