[發(fā)明專利]一種光電探測器、制備方法及光電探測裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010155514.X
• 申請日: 2020-03-09
• 公開（公告）號: CN111341853B
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李達(dá);張碩;陳江博;孟凡理;李凡;梁魁;李澤源
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/108;H01L31/18;H01L27/144
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 潘平

1.一種光電探測器，其特征在于，包括：

基板，具有至少一個(gè)探測單元；

電極層，位于所述基板一側(cè)，且所述電極層包括：位于所述探測單元中的相互絕緣且間隔設(shè)置的第一電極和第二電極；

第一絕緣層，位于所述電極層背離所述基板一側(cè)，且所述第一絕緣層在所述基板的正投影與所述第一電極和所述第二電極在所述基板的正投影之間的間隙具有交疊區(qū)域；

光感有源層，位于所述第一絕緣層背離所述基板一側(cè)；

所述第一絕緣層在所述基板的正投影與所述第一電極和所述第二電極在所述基板的正投影之間的間隙重合，以使所述第一電極和所述第二電極分別與所述光感有源層直接接觸。

2.如權(quán)利要求1所述的光電探測器，其特征在于，所述第一絕緣層在所述基板的正投影覆蓋所述基板的表面。

3.如權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的光電探測器，其特征在于，所述光電探測器還包括：

平坦化層，位于所述電極層與所述基板之間；

晶體管陣列層，位于所述平坦化層與所述基板之間，且所述晶體管陣列層包括位于所述探測單元中的開關(guān)晶體管以及與所述開關(guān)晶體管的源極電連接的檢測線，且所述開關(guān)晶體管的漏極與所述第一電極電連接。

4.如權(quán)利要求3所述的光電探測器，其特征在于，所述光電探測器還包括：

遮光層，位于所述平坦化層與所述晶體管陣列層之間，且所述遮光層包括位于所述探測單元中的遮光部；

第二絕緣層，位于所述遮光層與所述晶體管陣列層之間；

同一所述探測單元中，所述遮光部在所述基板的正投影覆蓋所述開關(guān)晶體管的有源層在所述基板的正投影。

5.如權(quán)利要求4所述的光電探測器，其特征在于，同一所述探測單元中，所述遮光部通過貫穿所述第二絕緣層的第一過孔與所述開關(guān)晶體管的漏極電連接，所述第一電極通過貫穿所述平坦化層的第二過孔與所述遮光部電連接。

6.一種如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的光電探測器的制備方法，其特征在于，包括：

在所述基板上形成電極層；其中，所述電極層包括：位于所述探測單元中的相互絕緣且間隔設(shè)置的第一電極和第二電極；

在形成有所述電極層的基板上形成所述第一絕緣層；其中，所述第一絕緣層在所述基板的正投影與所述第一電極和所述第二電極在所述基板的正投影之間的間隙具有交疊區(qū)域；

在形成有所述第一絕緣層的基板上形成所述光感有源層；

所述形成所述第一絕緣層，具體包括：

在形成有所述電極層的基板上依次形成覆蓋所述基板的第一絕緣薄膜層和第一光刻膠薄膜層；

采用與形成所述第一電極和所述第二電極相同的掩膜板，對所述第一光刻膠薄膜層進(jìn)行曝光；

對曝光后的第一光刻膠薄膜層進(jìn)行顯影，形成第一光刻膠層；其中，所述第一光刻膠層在所述基板的正投影與所述第一電極和所述第二電極在所述基板的正投影之間的間隙重疊；

采用干法刻蝕工藝對所述第一絕緣薄膜層進(jìn)行刻蝕處理，形成所述第一絕緣層；其中，所述第一絕緣層在所述基板的正投影與所述第一電極和所述第二電極在所述基板的正投影之間的間隙重合，以使所述第一電極和所述第二電極分別與所述光感 有源層直接接觸。

7.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述形成所述第一絕緣層，具體包括：

在形成有所述電極層的基板上形成覆蓋所述基板的第一絕緣層。

8.一種光電探測裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的光電探測器。