[發明專利]晶圓測試的異常數據聚類方法、裝置、電子設備與介質有效
| 申請號: | 202010151036.5 | 申請日: | 2020-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN111401420B | 公開(公告)日: | 2023-04-18 |
| 發明(設計)人: | 毛宏坤 | 申請(專利權)人: | 普迪飛半導體技術(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G06F18/2321 | 分類號: | G06F18/2321;G06F18/22;G06F18/213 |
| 代理公司: | 上海慧晗知識產權代理事務所(普通合伙) 31343 | 代理人: | 徐海晟 |
| 地址: | 200433 上海市楊*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 測試 異常 數據 方法 裝置 電子設備 介質 | ||
1.一種晶圓測試的異常數據聚類方法,其特征在于,包括:
獲取待聚類異常數據;所述待聚類異常數據包括多個樣本,每個樣本包括多個參數,每個參數包括多個電流數據,其中,不同樣本對應于不同的待測實體,同一樣本中的不同參數對應于所實施的不同種類的測試,同一參數中的不同電流數據對應于實施測試時所施加的不同電壓;
針對于每個參數,對所述多個樣本中該參數的電流數據進行一次聚類,得到每個樣本中每個參數的參數標簽;
根據各樣本中的參數標簽,對所述多個樣本進行二次聚類,得到每個樣本的樣本標簽。
2.根據權利要求1所述的晶圓測試的異常數據聚類方法,其特征在于,針對于每個參數,對所述多個樣本中該參數的電流數據進行一次聚類,得到每個樣本中每個參數的參數標簽,包括:
針對于每個參數,根據不同樣本間該參數中電流數據的歐式距離進行所述一次聚類,得到所述參數標簽。
3.根據權利要求1所述的晶圓測試的異常數據聚類方法,其特征在于,所述參數標簽是利用字符表征的,每個樣本中參數標簽的字符能夠形成字符串;
根據各樣本中的參數標簽,對所述多個樣本進行二次聚類,得到每個樣本的樣本標簽,包括:
根據不同樣本的字符串之間的漢明距離,對所述多個樣本進行聚類,得到所述樣本標簽。
4.根據權利要求1至3任一項所述的晶圓測試的異常數據聚類方法,其特征在于,所述一次聚類與所述二次聚類均采用DBSCAN。
5.根據權利要求1至3任一項所述的晶圓測試的異常數據聚類方法,其特征在于,獲取待聚類異常數據,包括:
獲取晶圓測試得到的原始異常數據;
根據所述原始異常數據,確定所述待聚類異常數據,所述待聚類異常數據的數據量小于所述原始異常數據。
6.根據權利要求5所述的晶圓測試的異常數據聚類方法,其特征在于,根據所述原始異常數據,確定所述待聚類異常數據,包括:
對所述原始異常數據進行取對數,得到取對數的異常數據;
對所述取對數的異常數據進行降維處理,得到所述待聚類異常數據。
7.根據權利要求1至3任一項所述的晶圓測試的異常數據聚類方法,其特征在于,若所述參數中的電流數據隨電壓值的遞增而遞增,則:對應的降維處理為PAA降維處理。
8.一種晶圓測試的異常數據聚類裝置,其特征在于,包括:
獲取模塊,用于獲取待聚類異常數據;所述待聚類異常數據包括多個樣本,每個樣本包括多個參數,每個參數包括多個電流數據,其中,不同樣本對應于不同的待測實體,同一樣本中的不同參數對應于所實施的不同種類的測試,同一參數中的不同電流數據對應于實施測試時所施加的不同電壓;
一次聚類模塊,用于針對于每個參數,對所述多個樣本中該參數的電流數據進行一次聚類,得到每個樣本中每個參數的參數標簽;
二次聚類模塊,用于根據各樣本中的參數標簽,對所述多個樣本進行二次聚類,得到每個樣本的樣本標簽。
9.一種電子設備,其特征在于,包括處理器與存儲器,
所述存儲器,用于存儲代碼和相關數據;
所述處理器,用于執行所述存儲器中的代碼用以實現權利要求1至7任一項所述的晶圓測試的異常數據聚類方法。
10.一種存儲介質,其上存儲有計算機程序,該程序被處理器執行時實現權利要求1至7任一項所述的晶圓測試的異常數據聚類方法。
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