[發(fā)明專利]一種適用于帶狀注行波管的新型可調(diào)磁聚焦系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010150361.X | 申請日: | 2020-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN111383873B | 公開(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 段兆云;江勝坤;羅恒宇;麥爾丹·吾拉木;唐濤;王戰(zhàn)亮;鞏華榮;宮玉彬 | 申請(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號: | H01J23/087 | 分類號: | H01J23/087;H01J25/34 |
| 代理公司: | 電子科技大學(xué)專利中心 51203 | 代理人: | 吳姍霖 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 適用于 帶狀 行波 新型 可調(diào) 聚焦 系統(tǒng) | ||
1.一種適用于帶狀注行波管的新型可調(diào)磁聚焦系統(tǒng),包括磁聚焦系統(tǒng)和磁聚焦系統(tǒng)固定裝置,其特征在于,所述磁聚焦系統(tǒng)包括n個單周期磁體組件和一對極靴,所述單周期磁體組件由兩組對稱設(shè)置、相互排斥的磁體單元組成,所述磁體單元包括兩個并排設(shè)置的第一永磁體和交錯吸附于第一永磁體表面的兩個第二永磁體,所述極靴設(shè)置于第一永磁體靠近電子槍一側(cè),其中,所述第一永磁體表面為并排設(shè)置的第一永磁體遠離另一排的所在表面,n為正整數(shù);
所述磁聚焦系統(tǒng)固定裝置包括第一磁聚焦系統(tǒng)支架、第二磁聚焦系統(tǒng)支架、磁聚焦系統(tǒng)支架條和連接板;所述第一磁聚焦系統(tǒng)支架和第二磁聚焦系統(tǒng)支架均為L型,所述第一磁聚焦系統(tǒng)支架和第二磁聚焦系統(tǒng)支架的側(cè)面結(jié)構(gòu)相同,均設(shè)置有通孔,用于放置磁聚焦系統(tǒng)中的第二永磁體;通孔上方固定設(shè)置有磁聚焦系統(tǒng)支架條,和磁聚焦系統(tǒng)支架配合固定單周期磁體組件;所述連接板位于磁聚焦系統(tǒng)支架條上方,用于固定連接第一磁聚焦系統(tǒng)支架和第二磁聚焦系統(tǒng)支架;所述第一磁聚焦系統(tǒng)支架的底面設(shè)置有定位塊,定位塊上方用于放置高頻結(jié)構(gòu),且兩組磁體單元關(guān)于定位塊對稱;所述第二磁聚焦系統(tǒng)支架的底面與第一磁聚焦系統(tǒng)支架的底面固定連接。
2.如權(quán)利要求1所述適用于帶狀注行波管的新型可調(diào)磁聚焦系統(tǒng),其特征在于,通過調(diào)節(jié)第二磁聚焦系統(tǒng)支架底面相對于第一磁聚焦系統(tǒng)支架底面的距離來調(diào)節(jié)磁聚焦系統(tǒng)中兩組磁體單元的間距。
3.如權(quán)利要求1所述適用于帶狀注行波管的新型可調(diào)磁聚焦系統(tǒng),其特征在于,所述通孔的高度大于第二永磁體高度,用于調(diào)節(jié)第二永磁體相對于第一永磁體的位置。
4.如權(quán)利要求1所述適用于帶狀注行波管的新型可調(diào)磁聚焦系統(tǒng),其特征在于,所述交錯設(shè)置的第二永磁體之間的垂直間距為w,當w值由小變大時,帶狀電子注的寬邊由過聚焦到聚焦不足。
5.如權(quán)利要求1所述適用于帶狀注行波管的新型可調(diào)磁聚焦系統(tǒng),其特征在于,所述第一永磁體和第二永磁體的材料均為釹鐵硼;所述極靴材料為純鐵;所述磁聚焦系統(tǒng)固定裝置材料均為無磁金屬。
6.如權(quán)利要求5所述適用于帶狀注行波管的新型可調(diào)磁聚焦系統(tǒng),其特征在于,所述無磁金屬為鋁。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于電子科技大學(xué),未經(jīng)電子科技大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010150361.X/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





