[發(fā)明專利]高反射LED倒裝芯片及其制作方法、封裝結(jié)構(gòu)

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• 申請日: 2020-03-06
• 公開（公告）號: CN111244242A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王濤;朱國健
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門乾照半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/44;H01L33/00;H01L33/62
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高反射LED倒裝芯片，包括：由下至上依次層疊的襯底、第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層；設(shè)于所述第一半導(dǎo)體層上的第一歐姆接觸層；設(shè)于所述第二半導(dǎo)體層上的第二歐姆接觸層；以及覆蓋于芯片表面的第一透明絕緣層，所述第一透明絕緣層對應(yīng)第一歐姆接觸層的位置具有貫穿第一透明絕緣層上下表面且暴露第一歐姆接觸層的第一通孔，所述第一透明絕緣層對應(yīng)第二歐姆接觸層的位置具有貫穿第一透明絕緣層上下表面且暴露第二歐姆接觸層的第二通孔；其特征在于，還包括第一接觸電極、第二接觸電極和第二透明絕緣層，所述第一接觸電極通過所述第一通孔與所述第一歐姆接觸層接觸，所述第二接觸電極通過所述第二通孔與所述第二歐姆接觸層接觸，所述第一接觸電極和第二接觸電極具有間隙；所述第二透明絕緣層覆蓋于第一接觸電極和第二接觸電極表面，所述第二透明絕緣層對應(yīng)第一接觸電極和第二接觸電極的位置分別具有貫穿第二透明絕緣層上下表面且暴露第一接觸電極和第二接觸電極的焊接孔；所述第一接觸電極和第二接觸電極之間的間隙小于或等于30um。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高反射LED倒裝芯片，其特征在于，所述第一接觸電極和第二接觸電極之間的間隙大于或等于10um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高反射LED倒裝芯片，其特征在于，所述第二透明絕緣層的厚度小于1.5um。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高反射LED倒裝芯片，其特征在于，所述焊接孔之間的距離大于等于30um。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高反射LED倒裝芯片，其特征在于，所述第一接觸電極設(shè)于第一透明絕緣層上以及通過所述第一通孔設(shè)于所述第一歐姆接觸層上，所述第二接觸電極設(shè)于第一透明絕緣層上以及通過所述第二通孔設(shè)于所述第二歐姆接觸層上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高反射LED倒裝芯片，其特征在于，所述第二透明絕緣層填充所述第一接觸電極和第二接觸電極之間的間隙。

7.一種高反射LED倒裝芯片的制作方法，其特征在于，包括：

于襯底上生長外延層，所述外延層包括由下而上依次層疊的第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層；

蝕刻所述外延層的上表面至第一半導(dǎo)體層；

于所述第一半導(dǎo)體層上設(shè)置第一歐姆接觸層，于所述第二半導(dǎo)體層上設(shè)置第二歐姆接觸層；

于所述外延層表面覆蓋第一透明絕緣層；

于所述第一透明絕緣層對應(yīng)第一歐姆接觸層的位置蝕刻出貫穿第一透明絕緣層上下表面且暴露第一歐姆接觸層的第一通孔，于所述第一透明絕緣層對應(yīng)第二歐姆接觸層的位置蝕刻出貫穿第一透明絕緣層上下表面且暴露第二歐姆接觸層的第二通孔；

在所述第一通孔中設(shè)置與所述第一歐姆接觸層接觸的第一接觸電極，在所述第二通孔中設(shè)置于所述第二歐姆接觸層接觸的第二接觸電極，所述第一接觸電極與第二接觸電極距離設(shè)置，所述第一接觸電極與第二接觸電極之間的距離小于等于30um；

于所述第一接觸電極和第二接觸電極表面覆蓋第二透明絕緣層；

于所述第二透明絕緣層對應(yīng)第一接觸電極和第二接觸電極的位置分別蝕刻出貫穿第二透明絕緣層上下表面且暴露第一接觸電極和第二接觸電極的焊接孔。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高反射LED倒裝芯片的制作方法，其特征在于，所述第一接觸電極和第二接觸電極之間的間隙大于或等于10um。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高反射LED倒裝芯片，其特征在于，所述第二透明絕緣層的厚度小于1.5um，所述焊接孔之間的距離大于等于30um。

10.一種高反射LED倒裝芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括支架以及權(quán)利要求1-6任意一項所述的高反射LED倒裝芯片，所述高反射LED倒裝芯片通過所述焊接孔固定于所述支架上并與所述支架電連接。