[發明專利]一種靶材晶粒微細化的制成工藝有效
| 申請號： | 202010148378.1 | 申請日： | 2020-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN111318570B | 公開（公告）日： | 2021-11-19 |
| 發明（設計）人： | 尤小磊;常艷超;中村晃;董常亮 | 申請（專利權）人： | 愛發科電子材料（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | B21B15/00 | 分類號： | B21B15/00;B21B37/00;B21B37/74;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京精金石知識產權代理有限公司 11470 | 代理人： | 張黎 |
| 地址： | 215126 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶粒 微細 制成 工藝 | ||
1.一種靶材晶粒微細化的制成工藝，包括如下步驟：
（1）一次壓延：將鋁錠加熱至170-220℃，然后進行一次壓延，得半成品靶材；
（2）二次壓延：將半成品靶材再次加熱至300-350℃，然后進行二次壓延，得成品靶材；
所述步驟（1）中，一次壓延過程分為≧2個道次進行，每個道次的壓下量相等；
所述步驟（2）中，二次壓延過程分為≧2個道次進行，其中第1道次的壓下量低于其余道次的壓下量；
所述一次壓延過程中的加熱步驟中，首先將鋁錠放入加熱爐中，設置爐體加熱最高溫度為250℃；利用加熱爐內的溫度探測頭，實時監測鋁錠的溫度，待鋁錠的實際溫度為170-220℃時，取出鋁錠，進行一次壓延；
所述二次壓延過程中的加熱步驟中，首先將半成品靶材放入加熱爐中，設置爐體加熱最高溫度為380℃；利用加熱爐內的溫度探測頭，實時監測半成品靶材的溫度，待半成品靶材的實際溫度為300-350℃時，取出半成品靶材，進行二次壓延；
所述成品靶材中晶粒的平均尺寸≦90μm；尺寸在60-80μm之間的晶粒占比≧40%；所述成品靶材的最終步留率≧93%。
2.如權利要求1所述的靶材晶粒微細化的制成工藝，其特征在于：所述步驟（2）中，二次壓延過程分為≧3個道次進行，除了所述第1道次之外的其余道次壓下量相等。
3.如權利要求1所述的靶材晶粒微細化的制成工藝，其特征在于：所述一次壓延過程中，待鋁錠的實際溫度為170℃時，取出鋁錠，進行一次壓延。
4.如權利要求1所述的靶材晶粒微細化的制成工藝，其特征在于：所述二次壓延過程中，待半成品靶材的實際溫度為300℃時，取出半成品靶材，進行二次壓延。
5.如權利要求1所述的靶材晶粒微細化的制成工藝，其特征在于：所述一次壓延完成后，對半成品靶材進行一次切斷，切除半成品靶材頭部和尾部的不規則部分。
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