[發明專利]間接加熱蒸鍍源

在審

• 申請號: 202010147670.1
• 申請日: 2020-03-05
• 公開（公告）號: CN111826613A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 菅原康司;上岡昌典;鈴木康輔;高島徹;谷口明;三澤啟一;佐野纮晃
• 申請（專利權）人: 日本電子株式會社
• 主分類號: C23C14/30
• 分類號: C23C14/30;C23C14/24
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種間接加熱蒸鍍源，其特征在于，

該間接加熱蒸鍍源具備：

容器，其形成為有底的筒狀，且供蒸鍍材料填充；

容器保持部，其保持所述容器；

電子源，其放出用于對所述容器進行電子沖擊加熱的熱電子；以及

掃描線圈，其使自所述電子源放出的熱電子的照射范圍擴大。

2.根據權利要求1所述的間接加熱蒸鍍源，其特征在于，

該間接加熱蒸鍍源具備配置于所述容器與所述電子源之間的陽極，所述掃描線圈與所述陽極的同所述容器相對的一側的相反側相對。

3.根據權利要求1或2所述的間接加熱蒸鍍源，其特征在于，

從所述容器的底部到所述掃描線圈的距離比從所述容器的底部到所述電子源的距離長。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的間接加熱蒸鍍源，其特征在于，

該間接加熱蒸鍍源具備與所述容器的側面相對的反射器。

5.根據權利要求4所述的間接加熱蒸鍍源，其特征在于，

所述反射器具有：

筒狀部，其覆蓋所述容器的側面；以及

凸緣部，其形成于所述筒狀部的軸向的一端，并與所述容器保持部卡合。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的間接加熱蒸鍍源，其特征在于，

該間接加熱蒸鍍源具備對向所述掃描線圈供給的電流的波形進行控制的電流波形控制部，

所述電流波形控制部以使所述熱電子的照射范圍中的外緣部的電子束強度大于所述熱電子的照射范圍的中央部的電子束強度的方式來控制所述電流波形。

7.根據權利要求6所述的間接加熱蒸鍍源，其特征在于，

該間接加熱蒸鍍源具備用于變更所述熱電子的照射范圍中的中央部的電子束強度和外緣部的電子束強度的操作部，

所述電流波形控制部根據使用所述操作部的指示而控制所述掃描線圈的電流波形。