[發明專利]JFET器件的制備方法、JFET器件及其版圖結構

有效

• 申請號: 202010146282.1
• 申請日: 2020-03-05
• 公開（公告）號: CN111383922B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 蔡瑩;金鋒
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/337
• 分類號: H01L21/337;H01L29/808;H01L29/423;H01L29/40
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 黎偉

1.一種JFET器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底為P型襯底，所述襯底中形成有深N型阱，所述襯底上形成有場氧層，所述深N型阱覆蓋所述場氧層的底部；

進行P型離子注入，在所述襯底中形成P型阱，所述P型阱與所述場氧層的底部相交疊；

在所述場氧層上形成第一柵場板、第二柵場板和第三柵場板；

進行P型離子重摻雜注入，在所述襯底中形成第一P型重摻雜區和第二P型重摻雜區，所述第一P型重摻雜區位于所述深N型阱外，所述第二P型重摻雜區位于所述P型阱內；

進行N型離子重摻雜注入，在所述襯底中形成第一N型重摻雜區、第二N型重摻雜區和第三N型重摻雜區，所述第一N型重摻雜區位于所述深N型阱內且位于所述P型阱外，所述第二N型重摻雜區位于所述P型阱內且與所述第一柵場板連接，所述第三N型重摻雜區位于所述P型阱內；

沿所述場氧層的剖面長度的方向，所述第一P型重摻雜區、所述第二P型重摻雜區、所述第一N型重摻雜區和所述第二N型重摻雜區位于所述場氧層的一側，所述第三N型重摻雜區位于所述場氧層的另一側。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述P型阱與所述場氧層的底部的交疊區域的長度小于20微米。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述進行P型離子注入之前，還包括：

進行深N型阱離子注入，在所述襯底中形成所述深N型阱；

通過場氧化工藝在所述深N型阱上形成所述場氧層。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述進行深N型阱離子注入，在所述襯底中形成所述深N型阱，包括：

通過光刻工藝在所述襯底上定義所述深N型阱的注入區域；

對所述深N型阱的注入區域進行所述深N型阱離子注入后，通過高溫推阱工藝在所述襯底中形成所述深N型阱；

清除所述光刻工藝中覆蓋的光阻。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述進行P型離子注入，在所述襯底中形成P型阱，包括：

通過光刻工藝在所述襯底上定義P型阱的離子注入區；

對所述P型阱的離子注入區進行所述P型離子注入后，通過快速熱退火工藝在所述襯底中形成所述P型阱；

清除所述光刻工藝中覆蓋的光阻。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述場氧層上形成第一柵場板、第二柵場板和第三柵場板，包括：

在所述襯底上依次沉積硅氧化物層和多晶硅層；

通過光刻工藝定義柵場板的區域；

對所述除所述柵場板的區域的其它區域進行刻蝕，使所述襯底暴露，形成所述第一柵場板、所述第二柵場板和所述第三柵場板；

清除所述光刻工藝中覆蓋的光阻。

7.根據權利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述進行N型離子重摻雜注入之后，還包括：

在所述襯底和所述場氧層上形成層間介質層；

在所述層間介質層中形成多個通孔，每個通孔分別使所述第一P型重摻雜區、所述第二P型重摻雜區、所述第一N型重摻雜區、所述第二N型重摻雜區、所述第一柵場板、所述第二柵場板、所述第三柵場板和所述第三N型重摻雜區暴露；

在所述通孔中填充金屬，形成接觸通孔；

在所述接觸通孔上形成引線，所述第二P型重摻雜區和所述第二重摻雜區上的接觸通孔與同一引線連接，所述第三柵場板和所述第三N型重摻雜區上的接觸通孔與同一引線連接。