[發明專利]半導體封裝及其制造工藝

在審

• 申請號: 202010142769.2
• 申請日: 2020-03-04
• 公開（公告）號: CN112687552A
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發明（設計）人: 朱立寰;陳旭賢;林亮臣;謝宗揚;李信賢;蔡坤宏
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 薛恒;王琳

1.一種半導體封裝的制造工藝，包括：

提供具有晶體結構的中介層；

將第一管芯設置在所述中介層上；

將第二管芯設置在所述中介層上，并且將所述第二管芯定位成通過間隙而與所述第一管芯間隔開且界定與所述間隙的最短距離垂直的間隙延伸方向，其中所述間隙延伸方向不平行于所述中介層的所述晶體結構的結晶取向；

將所述第一管芯及所述第二管芯接合到所述中介層；

在所述中介層之上形成覆蓋所述第一管芯及所述第二管芯的模制化合物；以及

切割透所述模制化合物及所述中介層以形成封裝。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝的制造工藝，其中將所述第一管芯及所述第二管芯接合到所述中介層包括執行回流工藝。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝的制造工藝，還包括：在所述封裝的被切割的所述中介層上形成導電連接件，其中被切割的所述中介層中包括穿孔且所述導電連接件與所述穿孔電連接。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝的制造工藝，其中，還包括：在設置所述第一管芯及設置所述第二管芯之前，在所述中介層上形成重布線結構。

5.一種封裝工藝，包括：

提供具有晶體結構的晶片中介層；

將第一管芯及第二管芯接合在所述晶片中介層上且使所述第一管芯與所述第二管芯通過所述第一管芯的一側與所述第二管芯的一側之間的間隙彼此間隔開，所述第一管芯的所述一側與所述第二管芯的所述一側實質上平行于第一方向，其中所述第一方向被取向成在所述晶片中介層的所述晶體結構的結晶取向與所述第一方向之間具有夾角θ，且所述夾角θ大于零且小于180度；

在所述晶片中介層之上形成覆蓋所述第一管芯及所述第二管芯的模制化合物；以及

切透所述模制化合物及所述晶片中介層以形成封裝。

6.根據權利要求5所述的封裝工藝，其中所述晶片中介層包括具有立方晶體結構的硅晶片。

7.根據權利要求5所述的封裝工藝，其中所述夾角θ介于約60度到約120度的范圍內。

8.一種封裝結構，包括：

半導體中介層，具有晶體結構，其中所述半導體中介層具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面，且所述半導體中介層包括從所述第一表面延伸到所述第二表面的穿孔；

第一管芯及第二管芯，分別設置在所述半導體中介層的所述第一表面上且與所述穿孔電連接；其中所述第一管芯與所述第二管芯通過所述第一管芯的一側與所述第二管芯的一側之間的間隙彼此間隔開，所述第一管芯的所述一側與所述第二管芯的所述一側實質上平行于第一方向，且所述第一方向不平行于所述半導體中介層的所述晶體結構的結晶取向；以及

導電連接件，設置在所述半導體中介層的所述第二表面上且與所述穿孔電連接。

9.根據權利要求8所述的封裝結構，其中，還包括設置在所述半導體中介層的所述第一表面上的重布線結構，且所述第一管芯及所述第二管芯通過所述重布線結構而與所述穿孔電連接。

10.根據權利要求8所述的封裝結構，其中，還包括設置在所述半導體中介層的所述第二表面上的重布線結構，且所述導電連接件通過所述重布線結構而與所述穿孔電連接。