[發明專利]一種硒硫化銻薄膜的制備方法及其應用有效
| 申請號： | 202010141390.X | 申請日： | 2020-03-03 |
| 公開（公告）號： | CN111320395B | 公開（公告）日： | 2021-07-06 |
| 發明（設計）人： | 陳濤;唐榮風;王小敏;朱長飛 | 申請（專利權）人： | 中國科學技術大學 |
| 主分類號： | C03C17/22 | 分類號： | C03C17/22;C01G30/00;H01L31/032;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 付麗 |
| 地址： | 230026 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硫化銻 薄膜 制備 方法 及其 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種硒硫化銻薄膜的制備方法，包括以下步驟：
將酒石酸銻鉀、硫源與硒源混合，在密閉環境中進行水熱反應，干燥后得到硒硫化銻前驅膜；
將所述硒硫化銻前驅膜進行退火，得到硒硫化銻薄膜；
所述硫源選自硫代硫酸鈉；
所述硒源選自硒脲；
所述酒石酸銻鉀、硫源和硒源的質量比為0.2671:0.7946:(0.010～0.020)；
所述水熱反應的溫度為100～135℃，時間為30min～2h；
所述退火溫度為300～350℃。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述反應在水熱釜中進行。
3.一種太陽能電池器件，包括陰極、電子傳輸層、空穴傳輸層、陽極和光吸收層，其特征在于，所述光吸收 層 為權利要求1～2任一項所述的制備方法所制備的硒硫化銻薄膜。
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