[發明專利]化學鍍金浴在審
| 申請號: | 202010140063.2 | 申請日: | 2020-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN111663123A | 公開(公告)日: | 2020-09-15 |
| 發明(設計)人: | 金子陽平;西村直志;前田剛志;田邊克久 | 申請(專利權)人: | 上村工業株式會社 |
| 主分類號: | C23C18/44 | 分類號: | C23C18/44 |
| 代理公司: | 北京潤平知識產權代理有限公司 11283 | 代理人: | 劉兵;戴香蕓 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 化學 鍍金 | ||
本發明涉及化學鍍金浴,公開了一種化學鍍金浴,該化學鍍金浴含有水溶性金鹽、還原劑和下式所示的膦化合物,式中,R1、R2、R3各自相同或不同,為苯基或碳原子數1?5的烷基,上述苯基及烷基的至少一個被磺酸基或其鹽、氰基、或羧基或其鹽取代。本發明的化學鍍金浴即使在鍍覆加熱時間達到長時間的情況下,也可以不使用氰化合物而防止金的析出所導致的鍍浴的分解,鍍浴穩定性優良。
技術領域
本發明涉及一種化學鍍金浴。
背景技術
鍍金在印刷基板或電子部件等的安裝工序中,作為要求高可靠性的用途的表面處理法而被廣泛使用。作為形成金鍍膜的代表性的化學鍍方法,可以舉出置換型鍍金和置換還原型鍍金。在這些方法中,前一種置換鍍金是一種利用鎳等的基底金屬與鍍浴中的氧化還原電位之差使金析出的方法。但是,由于置換反應,金將基底金屬氧化(溶解)而腐蝕,因此存在金鍍膜的厚膜化困難,基底金屬的種類也受到限制等問題。另外,在置換型鍍金中,由于基底金屬在金鍍膜上擴散,因此還存在引線鍵合(W/B)接合性降低的問題。
與此相對,后者的置換還原型鍍金是在同一鍍浴中進行置換反應和還原反應兩者的方法,該鍍金浴含有還原劑。作為上述置換還原型鍍金的例子,例如有:在基底化學鍍鎳膜上形成置換鍍金膜的化學鍍鎳/置換金(ENIG:Electroless Nickel Immersion Gold)、在基底化學鍍鎳膜與置換鍍金膜之間設置化學鍍鈀膜的化學鍍鎳/化學鍍鈀/置換金(ENEPIG:Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold)、在化學鍍鈀膜上形成置換鍍金膜的化學鍍鈀/置換金、在銅上形成直接置換鍍金膜的直接置換金(DIG:Direct Immersion Gold)等。根據置換還原型鍍金,可以消除上述置換型鍍金引起的基底金屬的腐蝕,得到被覆性優良的金鍍膜。另外,能夠實現金鍍膜的厚膜化,也能夠用于焊料接合、引線鍵合。
作為通過置換還原型鍍金來改善基底金屬的腐蝕的技術,例如可舉出專利文獻1和2。這些作為還原劑,可以列舉甲醛和/或甲醛亞硫酸氫鹽加成物、規定的胺化合物(專利文獻1);醛化合物和規定的胺化合物(專利文獻2)。
另外,專利文獻3是鑒于“上述專利文獻2的浴穩定性差,加熱保持數小時金也析出、分解”的問題而完成的,公開了在化學鍍金液的加熱中補給氰化鈉等的氰化合物,穩定地保持鍍金液中的金的溶解性的方法。專利文獻4也與上述專利文獻3同樣,添加氰化鉀等氰化物離子源作為穩定化劑。
現有技術文件
專利文獻
專利文獻1:日本發明專利公開公報特開2008-266668號
專利文獻2:日本發明專利公開公報特開2008-144188號
專利文獻3:國際公開第2016/174780號小冊子
專利文獻4:國際公開第2017/050662號小冊子
發明內容
然而,在專利文獻3和4中,由于使用毒性高的氰化合物,因此為了安全地進行鍍覆處理作業,需要嚴格管理作業環境。因此,需要提供一種鍍金浴,該鍍金浴即使不使用氰化合物也能夠防止鍍浴的分解。
本發明是鑒于上述情況而成,其目的在于提供一種鍍浴穩定性優良的化學鍍金浴,該化學鍍金浴即使在鍍覆加熱時間達到長時間的情況下,也可以不使用氰化合物而防止由于金的析出所導致的鍍浴的分解。
解決上述問題的本發明涉及的化學鍍金浴的構成如下。
1、一種化學鍍金浴,其特征在于,該化學鍍金浴含有水溶性金鹽、還原劑和下式表示的膦化合物。
[化學式1]
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- 專利分類
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C23C18-00 通過液態化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應產物的化學鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無電流化學鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預處理





