[發明專利]一種基于熔化焊接的封裝方法在審
| 申請號: | 202010139928.3 | 申請日: | 2020-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN113363339A | 公開(公告)日: | 2021-09-07 |
| 發明(設計)人: | 黃偉瑜 | 申請(專利權)人: | 銀特(上海)半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 200000 上海市崇明區向化*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 熔化 焊接 封裝 方法 | ||
本發明涉及一種基于熔化焊接的封裝方法①高透明度,高粘著力,可以適用于各種界面,包括玻璃、金屬及塑料如PET;②良好的耐久性可以抵抗高溫、潮氣、紫外線等等;③易儲存,室溫存放,EVA的粘著力不受濕度和吸水性膠片的影響;④相比PVB有更強的隔音效果,尤其是高頻率的音效;⑤低熔點,易流動,能適用于各種玻璃的夾膠工藝,如壓花玻璃、鋼化玻璃、彎曲玻璃等。
技術領域
本發明涉及熔化焊接的封裝方法技術領域,具體為一種基于熔化焊接的封裝方法。
背景技術
組件線又叫封裝線,封裝是太陽能電池生產中的關鍵步驟,沒有良好的封裝工藝,多好的電池也生產不出好的組件板。電池的封裝不僅可以使電池的壽命得到保證,而且還增強了電池的抗擊強度。產品的高質量和高壽命是贏得客戶滿意的關鍵,所以組件板的封裝質量非常重要。
目前大部分太陽能電池組件生產廠家,現階段的生產工藝都存在以下缺陷:太陽能電池單元的轉換效率低、封裝材料的絕緣性能差、組件的使用壽命短、抗酸堿腐蝕性能差等,從而使組件性能率降低。
發明內容
本發明的目的是提供一種基于熔化焊接的封裝方法,解決現有的技術問題。
為實現上述目的,本發明提供如下技術方案:一種基于熔化焊接的封裝方法,包括以下方法;
S1:電池測試;
S2:背面串接;
S3:疊層;
S4:組件層壓;
S5:修邊;
S6:裝框;
S7:焊接接線盒;
S8 高壓測試;
S9:組件測試。
優選的,所述S1通過測試電池的性能參數的大小對其進行分類,挑選符合性能參數的電池,性能參數滿足以下條件:AM=1.5、E=1000W/m2、TC=25±2℃。
優選的,所述S2依次將電池串接在一起形成一個電池組件串,并在電池組件串的正負極焊接出引線。
優選的,所述S3將玻璃、EVA、電池組件串、玻璃纖維、EVA、背板由下向上依次敷設好,備用。
優選的,所述S4將敷設好的電池放入層壓機內,通過抽真空將組件內的空氣抽出,然后加熱使EVA熔化將電池組件串、玻璃和背板粘接在一起;最后冷卻取出組件。
優選的,所述S5層壓完畢將毛邊切除。
優選的,所述S6將上述組件裝邊框,邊框和組件的縫隙用封裝劑填充,各邊框間用角鍵連接。
優選的,所述S7在組件背面引線處焊接一個盒子。
優選的,所述S8在組件邊框和電極引線間施加電壓,測試組件的耐壓性和絕緣強度
優選的,所述S9按照AM=1.5、E=1000W/m2、TC=25±2℃的條件對電池的輸出功率進行標定,滿足標稱功率的±3%即合格。與現有技術相比,本發明的有益效果是:
①高透明度,高粘著力,可以適用于各種界面,包括玻璃、金屬及塑料如PET;
②良好的耐久性可以抵抗高溫、潮氣、紫外線等等;
③易儲存,室溫存放,EVA的粘著力不受濕度和吸水性膠片的影響;
④相比PVB有更強的隔音效果,尤其是高頻率的音效;
⑤低熔點,易流動,能適用于各種玻璃的夾膠工藝,如壓花玻璃、鋼化玻璃、彎曲玻璃等。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的說明,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發明保護的范圍。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于銀特(上海)半導體科技有限公司,未經銀特(上海)半導體科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010139928.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種基于熔化焊接的封裝工藝
- 下一篇:沖壓輔助系統及沖壓生產線
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





