[發(fā)明專利]一種捧心蘭的快速繁殖方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010137458.7 | 申請日： | 2020-03-02 |
| 公開（公告）號： | CN111264389B | 公開（公告）日： | 2022-04-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張成華;于海燕;李振堅;張道光;劉蓉;姜常玉;任鴻濛 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京艾比蒂生物科技有限公司 |
| 主分類號： | A01H4/00 | 分類號： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 北京力量專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11504 | 代理人： | 徐穎超 |
| 地址： | 102200 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 捧心蘭 快速 繁殖 方法 | ||
1.一種捧心蘭的快速繁殖方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1、將捧心蘭種子撒播至播種培養(yǎng)基，進行種子萌發(fā)，撒播后40～60天，得到無菌苗；
S2、將步驟S1中得到的所述無菌苗轉(zhuǎn)移至繼代增殖培養(yǎng)基，進行培養(yǎng)，得到叢生苗；
S3、將步驟S2中得到的所述叢生苗轉(zhuǎn)移至生根培養(yǎng)基，進行生根誘導(dǎo)，得到原球莖；
S4、將步驟S3中得到的所述原球莖栽培至苔蘚基質(zhì)中生長即可；
步驟S2中，采用的所述繼代增殖培養(yǎng)基，包括如下原料：
1/2的MS、0.1-0.5mg/L的BA、20g/L土豆泥、1g/L的活性碳；或者，
1/2的MS、0.1-0.5mg/L的BA、20g/L的香蕉泥、1g/L的活性碳；或者，
1/2的MS、0.1-0.5mg/L的BA、4g/L的蘋果泥、1g/L的活性碳；或者，
1/2的MS、0.1-0.5mg/L的BA、1g/L的石斛汁、1g/L的活性碳；
步驟S3中，采用的所述生根培養(yǎng)基，以重量百分比計，包括如下原料：
1/2的MS、1～2mg/L的NAA、1g/L的石斛汁、1g/L的活性碳；或者，
1/2的WPM、1～2mg/L的NAA、1g/L的石斛汁、1g/L的活性碳；或者，
1/2的DKW、1～2mg/L的NAA、1g/L的石斛汁、1g/L的活性碳；
步驟S4具體包括如下步驟：
S41、在每年10月至次年4月，向步驟S3中得到的所述原球莖噴涂殺菌劑，并用薄膜蓋上6～8天；
S42、將步驟S41中得到的所述原球莖從所述生根培養(yǎng)基中移出，清除根部的所述生根培養(yǎng)基，并在清洗溶液中浸泡20～40s，再在生根溶液中浸泡20～40s，將所述原球莖栽培至苔蘚基質(zhì)中生長即可；
步驟S41中，所述殺菌劑為用無菌水稀釋800倍的百菌清溶液；
步驟S42中，所述清洗溶液為用無菌水稀釋800倍的百菌清溶液；所述生根溶液為濃度為200ppm的ABT1號生根粉溶液。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的捧心蘭的快速繁殖方法，其特征在于，步驟S1中，采用的所述播種培養(yǎng)基，包括如下原料：1/2的MS、10g/L椰子汁、1g/L活性碳。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的捧心蘭的快速繁殖方法，其特征在于，步驟S1中，具體包括如下步驟：
S11、取果莢未開裂的捧心蘭種子，先用無菌水沖洗，再用60～80％的酒精浸泡20～40s，然后放入0.1wt％的升汞溶液中，浸泡5～15min，浸泡后用無菌水沖洗，采用無菌紙吸干水分，切開果莢，得到果莢內(nèi)的捧心蘭種子；
S12、將捧心蘭種子撒播至播種培養(yǎng)基，在25±2℃的培養(yǎng)溫度下，保持所述播種培養(yǎng)基的pH值為5.8～6.8，每日光照12h，光照強度1500～2000lx，進行種子萌發(fā)，撒播后40～60天，得到無菌苗。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的捧心蘭的快速繁殖方法，其特征在于，步驟S2具體包括如下步驟：
S21、將步驟S1中得到的所述無菌苗轉(zhuǎn)移至繼代增殖培養(yǎng)基，在25±2℃的培養(yǎng)溫度下，保持所述播種培養(yǎng)基的pH值為5.8～6.8，每日光照12h，光照強度1500～2000lx，進行培養(yǎng)，培養(yǎng)20～30天后，得到幼小的叢生苗；
S22、將步驟S21中得到的所述叢生苗繼代轉(zhuǎn)接一次，繼續(xù)培養(yǎng)，培養(yǎng)至繁殖系數(shù)大于或等于5，得到長大的叢生苗。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的捧心蘭的快速繁殖方法，其特征在于，步驟S3中，將步驟S2中得到的所述叢生苗轉(zhuǎn)移至生根培養(yǎng)基，進行生根誘導(dǎo)，誘導(dǎo)20～50天后，得到原球莖。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的捧心蘭的快速繁殖方法，其特征在于，所述原球莖栽培至苔蘚基質(zhì)后，每6～8天噴涂一次所述殺菌劑，并在如下條件下生長：溫度20～27℃、相對濕度65～85％、光照1200～1500lx。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京艾比蒂生物科技有限公司，未經(jīng)北京艾比蒂生物科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010137458.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
