[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置和半導(dǎo)體裝置的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010136503.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112242374A | 公開(公告)日: | 2021-01-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 日向裕一朗;西澤龍男 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 富士電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L23/498 | 分類號(hào): | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
該半導(dǎo)體裝置包括:
絕緣電路基板,其包括彼此分開地配置的導(dǎo)體層和分別設(shè)于該導(dǎo)體層上的多個(gè)接合材料;
布線基板,其具有面對(duì)所述導(dǎo)體層的相對(duì)面,并且具有與所述多個(gè)接合材料各自的位置相對(duì)應(yīng)的多個(gè)貫通孔;
多個(gè)中空構(gòu)件,該多個(gè)中空構(gòu)件均具備筒部和凸緣部,該凸緣部設(shè)于該筒部的一端,具有與所述筒部共通的空洞,所述筒部分別被壓入于所述多個(gè)貫通孔,所述筒部的另一端通過所述多個(gè)接合材料與所述導(dǎo)體層接合;以及
多個(gè)外部連接端子,該多個(gè)外部連接端子插入于所述多個(gè)中空構(gòu)件各自的所述空洞,與所述導(dǎo)體層接合,
所述筒部以所述凸緣部與所述布線基板的與所述相對(duì)面相反那一側(cè)的上表面接觸的方式分別插入于所述多個(gè)貫通孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
所述絕緣電路基板為多個(gè),所述導(dǎo)體層分別設(shè)于所述多個(gè)絕緣電路基板,所述多個(gè)中空構(gòu)件分別與所述導(dǎo)體層接合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
所述接合材料是軟釬料材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
所述接合材料是燒結(jié)金屬材料。
5.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,
包括以下步驟:
準(zhǔn)備絕緣電路基板,該絕緣電路基板包括彼此分開地配置的導(dǎo)體層和分別設(shè)于該導(dǎo)體層上的多個(gè)接合材料;
準(zhǔn)備布線基板,在該布線基板以與所述多個(gè)接合材料配置的位置相對(duì)應(yīng)的方式形成有多個(gè)貫通孔;
以相對(duì)面朝向所述接合材料的方式使所述絕緣電路基板與所述布線基板相面對(duì);
準(zhǔn)備多個(gè)中空構(gòu)件,該多個(gè)中空構(gòu)件均具備筒部和凸緣部,該凸緣部設(shè)于該筒部的一端,具有與所述筒部共通的空洞,以所述凸緣部與所述布線基板的與所述相對(duì)面相反那一側(cè)的上表面接觸的方式將該多個(gè)中空構(gòu)件的所述筒部分別壓入于所述多個(gè)貫通孔;
利用所述多個(gè)接合材料將所述筒部的分別貫通所述多個(gè)貫通孔且自所述相對(duì)面突出的、與所述一端相反那一側(cè)的另一端與所述導(dǎo)體層接合;以及
將外部連接端子插入于所述多個(gè)中空構(gòu)件各自的所述空洞。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,
將所述外部連接端子插入于所述空洞的步驟在使所述筒部的所述另一端與所述導(dǎo)體層接合的步驟之后執(zhí)行。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,
將所述外部連接端子插入于所述空洞的步驟在使所述筒部的所述另一端與所述導(dǎo)體層接合的步驟之前執(zhí)行。
8.根據(jù)權(quán)利要求5~7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,
所述絕緣電路基板為多個(gè),所述導(dǎo)體層分別設(shè)于所述多個(gè)絕緣電路基板,所述多個(gè)中空構(gòu)件分別與所述導(dǎo)體層接合。
9.根據(jù)權(quán)利要求5~8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,
所述接合材料是軟釬料材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求5~8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,
所述接合材料是燒結(jié)金屬材料。
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