[發(fā)明專利]導(dǎo)電構(gòu)件、生物體電極及生物體信號測定裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010135807.1 | 申請日: | 2020-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN112450936A | 公開(公告)日: | 2021-03-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 泊省吾;山田渉;井戸聞多;須藤正 | 申請(專利權(quán))人: | 富士施樂株式會社 |
| 主分類號: | A61B5/256 | 分類號: | A61B5/256;A61B5/291;A61B5/02;A61B5/024;A61B5/369;A61B5/268;C08L83/04;C08K3/04 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 楊貝貝;臧建明 |
| 地址: | 日本東京*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)電 構(gòu)件 生物體 電極 信號 測定 裝置 | ||
本發(fā)明提供一種降低了體積電阻率的導(dǎo)電構(gòu)件、生物體電極及生物體信號測定裝置。所述導(dǎo)電構(gòu)件,含有硅酮橡膠以及導(dǎo)電劑,且硅數(shù)為3以上、24以下的環(huán)狀二甲基聚硅氧烷的總含量為5000ppm以下。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電構(gòu)件、生物體電極及生物體信號測定裝置。
背景技術(shù)
在專利文獻1中公開了如下的生物體電極:其包括分散有表面經(jīng)金、銀或鉑覆蓋的粒子的樹脂層。
在專利文獻2中公開了一種含有丙烯腈-苯乙烯(acrylonitrile-styrene,AS)樹脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯((acrylonitrile-butadiene-styrene,ABS)樹脂以及碳纖維的生物體電極。
[現(xiàn)有技術(shù)文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2018-11931號公報
[專利文獻2]日本專利特開2018-33769號公報
發(fā)明內(nèi)容
[發(fā)明所要解決的問題]
本發(fā)明的課題在于提供一種導(dǎo)電構(gòu)件,其含有硅酮橡膠以及導(dǎo)電劑,且與硅數(shù)為3以上、24以下的環(huán)狀二甲基聚硅氧烷的總含量超過5000ppm的導(dǎo)電構(gòu)件相比,降低了體積電阻率。
[解決問題的技術(shù)手段]
用于解決所述課題的具體手段包含下述形態(tài)。
<1>一種導(dǎo)電構(gòu)件,含有硅酮橡膠以及導(dǎo)電劑,且硅數(shù)為3以上、24以下的環(huán)狀二甲基聚硅氧烷的總含量為5000ppm以下。
<2>根據(jù)<1>所述的導(dǎo)電構(gòu)件,其中,硅數(shù)為3以上、12以下的環(huán)狀二甲基聚硅氧烷的總含量為500ppm以下。
<3>根據(jù)<1>或<2>所述的導(dǎo)電構(gòu)件,其中,所述導(dǎo)電劑包含碳黑。
<4>根據(jù)<3>所述的導(dǎo)電構(gòu)件,其中,所述碳黑包含鄰苯二甲酸二丁酯(dibutyl phthalate,DBP)吸油量不同的兩種以上的碳黑。
<5>根據(jù)<3>或<4>所述的導(dǎo)電構(gòu)件,其中,所述碳黑包含DBP吸油量小于200cm3/100g的第一碳黑、以及DBP吸油量為200cm3/100g以上的第二碳黑。
<6>根據(jù)<5>所述的導(dǎo)電構(gòu)件,其中,所述第一碳黑的DBP吸油量與所述第二碳黑的DBP吸油量之差的絕對值為70cm3/100g以上、400cm3/100g以下。
<7>根據(jù)<1>至<6>中任一項所述的導(dǎo)電構(gòu)件,其中,體積電阻率為1×105Ω·cm以下。
<8>根據(jù)<1>至<7>中任一項所述的導(dǎo)電構(gòu)件,其中,橡膠硬度為30°以上、60°以下。
<9>一種生物體電極,包括根據(jù)<1>至<8>中任一項所述的導(dǎo)電構(gòu)件來作為與生物體接觸的生物體接觸部。
<10>一種生物體信號測定裝置,包括根據(jù)<9>所述的生物體電極,且對生物體信號進行測定。
<11>根據(jù)<10>所述的生物體信號測定裝置,其中,所述生物體信號為腦波。
[發(fā)明的效果]
根據(jù)<1>或<3>的發(fā)明,提供一種與硅數(shù)為3以上、24以下的環(huán)狀二甲基聚硅氧烷的總含量超過5000ppm的導(dǎo)電構(gòu)件相比降低了體積電阻率的導(dǎo)電構(gòu)件。
根據(jù)<2>的發(fā)明,提供一種與硅數(shù)3以上且12以下的環(huán)狀二甲基聚硅氧烷的總含量超過500ppm的導(dǎo)電構(gòu)件相比,降低了體積電阻率的導(dǎo)電構(gòu)件。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于富士施樂株式會社,未經(jīng)富士施樂株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010135807.1/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:提升分料裝置
- 下一篇:包括電磁干擾屏蔽層的半導(dǎo)體封裝
- 透明導(dǎo)電膜用靶、透明導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜
- 透明導(dǎo)電膜用靶、透明導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜
- 導(dǎo)電糊劑及導(dǎo)電圖案
- 導(dǎo)電圖案的形成方法、導(dǎo)電膜、導(dǎo)電圖案及透明導(dǎo)電膜
- 導(dǎo)電片和導(dǎo)電圖案
- 導(dǎo)電漿料和導(dǎo)電膜
- 導(dǎo)電端子及導(dǎo)電端子的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)
- 導(dǎo)電構(gòu)件及使用多個導(dǎo)電構(gòu)件的導(dǎo)電電路
- 導(dǎo)電型材和導(dǎo)電裝置
- 透明導(dǎo)電膜用靶、透明導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜





