[發明專利]用于高壓BCD平臺互補金屬氧化物半導體的制作方法在審
| 申請號： | 202010134133.3 | 申請日： | 2020-03-02 |
| 公開（公告）號： | CN111383997A | 公開（公告）日： | 2020-07-07 |
| 發明（設計）人： | 金鋒;蔡瑩;錢文生 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8238 | 分類號： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 高壓 bcd 平臺 互補 金屬 氧化物 半導體 制作方法 | ||
1.一種用于高壓BCD平臺互補金屬氧化物半導體的制作方法，其特征在于，包括：
形成半導體器件的柵極結構；
對半導體器件進行不帶光罩的N型LDD普注摻雜，在NMOS管區的有源區中形成NLDD區，在PMOS管區的有源區中形成袋狀區；
在所述柵極結構的兩側形成側墻；
對所述NMOS管區的進行N+型摻雜，在所述NMOS管區的有源區中分別形成源極和漏極；
對所述PMOS管區的源極圖案和漏極圖案進行斜角P型LDD摻雜，擴散后在所述袋狀區中形成PLDD區；
對所述PMOS管區進行P+型摻雜，在所述PMOS管區的有源區中分別形成源極和漏極。
2.如權利要求1所述的用于高壓BCD平臺互補金屬氧化物半導體的制作方法，其特征在于，所述對半導體器件進行N型LDD摻雜包括：
對半導體器件進行能量為100Kev～200Kev的N型LDD摻雜。
3.如權利要求1所述的用于高壓BCD平臺互補金屬氧化物半導體的制作方法，其特征在于，所述對半導體器件進行N型LDD摻雜包括：
對半導體器件進行N型LDD摻雜，摻雜角度為15度～60度。
4.如權利要求1所述的用于高壓BCD平臺互補金屬氧化物半導體的制作方法，其特征在于，所述對所述PMOS管區的源極圖案和漏極圖案進行斜角P型LDD摻雜，包括：
對所述PMOS管區的源極圖案和漏極圖案進行能量為40Kev～60Kev的斜角P型LDD摻雜。
5.如權利要求1所述的用于高壓BCD平臺互補金屬氧化物半導體的制作方法，其特征在于，所述對所述PMOS管區的源極圖案和漏極圖案進行斜角P型LDD摻雜，包括：
對所述PMOS管區的源極圖案進行斜角P型LDD摻雜時，摻雜角度范圍為15度～60度；對所述PMOS管區的漏極圖案進行斜角P型LDD摻雜時，摻雜角度范圍為120度～165度。
6.如權利要求1所述的用于高壓BCD平臺互補金屬氧化物半導體的制作方法，其特征在于，所述對所述PMOS管區進行P+型摻雜，在所述PMOS管區的有源區中分別形成源極和漏極，包括：
沿豎直方向向下對所述PMOS管區進行P+型摻雜，使得在所述PMOS管區的有源區中分別形成源極和漏極。
7.如權利要求1所述的用于高壓BCD平臺互補金屬氧化物半導體的制作方法，其特征在于，所述形成半導體器件多晶硅柵極，包括：
提供襯底，在所述襯底上形成外延層；
對所述外延層進行摻雜形成阱區；
在所述阱區上生長柵氧化層，沉淀多晶硅；
在所述多晶硅上沉淀鎢化硅；
刻蝕形成所述柵極結構。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
