[發(fā)明專利]微流道模具表面處理方法及微流道芯片的制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010133828.X | 申請(qǐng)日: | 2020-02-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111216288A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-06-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 溫曉鐳;孫劍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B29C33/42 | 分類號(hào): | B29C33/42;B29C33/72;C23C14/16;C23C14/18 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 方丁一 |
| 地址: | 230026 安*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微流道 模具 表面 處理 方法 芯片 制作方法 | ||
1.一種微流道模具表面處理方法,用于提高微流道芯片模具的抗粘性,其特征在于,包括:
對(duì)微流道芯片的母版模具進(jìn)行清洗;
在清洗后的母版模具表面依次沉積種子層及薄膜層,其中,所述薄膜層用于降低所述母版模具表面的自由能。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述薄膜層為Au薄膜層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述Au薄膜層的厚度范圍為5-200納米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在活化處理后的母版模具表面沉積Ti種子層或Cr種子層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述種子層的厚度范圍為1-20納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述對(duì)微流道芯片的母版模具進(jìn)行清洗,包括:
將所述微流道芯片的母版模具依次浸入丙酮、異丙醇溶液中超聲清洗;
采用氮?dú)鈱?duì)超聲清洗后的母版模具進(jìn)行干燥。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述超聲清洗的時(shí)間范圍為5-10分鐘。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述Ti種子層或Cr種子層的厚度為3-5納米。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,采用磁控濺射鍍膜機(jī)或電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)或熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)在清洗后的母版模具表面依次沉積種子層及薄膜層。
10.一種基于權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述方法的微流道芯片的制作方法,其特征在于,包括:
對(duì)微流道芯片的的母版模具進(jìn)行清洗;
在清洗后的母版模具表面依次沉積種子層及Au薄膜層;
在所述Au薄膜層上澆鑄高分子聚合物材料,待所述聚合物材料固化成型后進(jìn)行脫模分離,得到微流道芯片。
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