[發明專利]預處理方法及系統、掩膜版的制造方法、設備、存儲介質

在審

• 申請號: 202010130432.X
• 申請日: 2020-02-28
• 公開（公告）號: CN113326601A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 李傳
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20;G06F30/392;G06F30/398;G03F7/20;G06F115/06;G06F119/18
• 代理公司: 上海知錦知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜

1.一種預處理方法，適于在對掩膜基板進行電子束曝光之前，利用測試掩膜基板建立尺寸偏差量的數據庫，其特征在于，包括：

設計參考版圖，所述參考版圖包括多個單元區，每一個所述單元區中具有多個標準圖形，至少有兩個所述單元區的圖形密度不同，且所述標準圖形具有預設關鍵尺寸；

將所述標準圖形轉移至所述測試掩膜基板上，在所述測試掩膜基板上形成與所述標準圖形相對應的測試掩膜圖形；

獲取所述測試掩膜圖形的實際關鍵尺寸；

計算每一個所述單元區中，任意多個所述測試掩膜圖形的實際關鍵尺寸與相對應的所述標準圖形的預設關鍵尺寸的差值，所述差值用于作為尺寸偏差量。

2.如權利要求1所述的預處理方法，其特征在于，計算每一個所述單元區中，任意多個所述測試掩膜圖形的實際關鍵尺寸與相對應的所述標準圖形的預設關鍵尺寸的差值的步驟包括：計算每一個所述單元區中，每一個所述測試掩膜圖形的實際關鍵尺寸與相對應的所述標準圖形的預設關鍵尺寸的差值。

3.如權利要求1所述的預處理方法，其特征在于，計算每一個所述單元區中，任意多個所述測試掩膜圖形的實際關鍵尺寸與相對應的所述標準圖形的預設關鍵尺寸的差值后，所述預處理方法還包括：對所述圖形密度和尺寸偏差量進行擬合，獲得與所述圖形密度相關的尺寸偏差關系式。

4.如權利要求1所述的預處理方法，其特征在于，所述設計參考版圖的步驟包括：確定所述圖形密度的密度區間范圍；

根據所述圖形密度的密度區間范圍，確定所述單元區的數量以及每一個所述單元區的圖形密度。

5.如權利要求1所述的預處理方法，其特征在于，將所述標準圖形轉移至所述測試掩膜基板中的步驟包括：在所述測試掩膜基板上形成光致抗蝕劑層；

在同一曝光條件下，對所述光致抗蝕劑層上與所述標準圖形相對應的區域進行電子束曝光；

對所述光致抗蝕劑層上與所述標準圖形相對應的區域進行電子束曝光后，對所述光致抗蝕劑層進行顯影，使剩余的所述光致抗蝕劑層露出部分所述測試掩膜基底；

以剩余的所述光致抗蝕劑層作為掩膜，圖形化所述測試掩膜基板，在所述測試掩膜基板上形成測試掩膜圖形；

去除剩余的所述光致抗蝕劑層。

6.如權利要求1所述的預處理方法，其特征在于，所述設計參考版圖的步驟中，所述多個單元區呈矩陣分布；或者，所述多個單元區沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，所述第一方向垂直于所述第二方向。

7.如權利要求1所述的預處理方法，其特征在于，所述設計參考版圖的步驟中，在每一個所述單元區中，所述標準圖形的形狀是正方形或長方形。

8.如權利要求1所述的預處理方法，其特征在于，所述設計參考版圖的步驟中，在每一個所述單元區中，所述標準圖形的數量為多個，且所述多個標準圖形呈矩陣分布；或者，所述多個標準圖形沿垂直于關鍵尺寸方向的方向平行排列。

9.如權利要求1所述的預處理方法，其特征在于，所述設計參考版圖的步驟中，在每一個所述單元區中，相鄰所述標準圖形的間隔相等。

10.如權利要求1所述的預處理方法，其特征在于，所述單元區的數量為4個至8個。

11.如權利要求1所述的預處理方法，其特征在于，所述圖形密度的密度區間范圍為5％至90％。

12.如權利要求1或4所述的預處理方法，其特征在于，所述圖形密度的密度區間范圍為5％至13％、20％至30％、以及50％至60％中的一種密度區間范圍或多種密度區間范圍。