[發明專利]基板收容裝置

在審

• 申請號: 202010124358.0
• 申請日: 2020-02-27
• 公開（公告）號: CN111668143A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 上野宏優;小野田正敏
• 申請（專利權）人: 日新離子機器株式會社
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L21/67
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

本發明涉及一種可在外殼內冷卻或加熱經加熱后的基板，并且可提高處理量的基板收容裝置。本發明的解決手段為一種基板收容裝置(10)，其具備：外殼(11)，在內部呈真空的狀態下收容多片基板(S)；溫度改變裝置(40)，改變被收容于外殼(11)內的基板(S)的溫度；以及移送機構(20)，在以既定間隔分離的狀態下保持被收容于外殼(11)內的多片基板(S)，并且在外殼(11)內，將基板(S)從由外殼(11)的外部所送入的送入位置(F)，移送到用以送出至外殼(11)的外部的送出位置(E)為止；且移送機構(20)構成為：伴隨著新的基板(S)被收容于外殼(11)內，從先被收容于外殼(11)的基板(S)開始依次移送到送出位置(E)。

技術領域

本發明關于用以在與真空處理室之間交接基板所使用的基板收容裝置。

背景技術

于半導體制造工序或平板顯示器制造工序中，半導體晶片或玻璃基板等各種基板在真空處理室內被施以離子植入等各種處理。在此過程中，有時會使用：可在不破壞真空處理室的真空狀態的情形下在與真空處理室之間進行基板的交接，并且可收容多片基板的基板收容裝置。

如此的可收容多片基板的基板收容裝置，為人所知者例如有專利文獻1所揭示的真空承載(Load Lock)裝置。

專利文獻1所揭示的真空承載裝置使用在將高溫的晶片冷卻的情形，其具備可多段地載置4片半導體而收容的容器，并且具備：通過利用使容器內從真空下回復至大氣壓下的氮氣等來作為冷卻氣體，以冷卻所收容的半導體晶片的構成。

然而，專利文獻1所揭示的真空承載裝置為將4片半導體晶片收容于容器內，一次將4片基板冷卻后送出至外部，然后再次將下一批4片半導體晶片收容于容器，并重復進行此動作而構成。

因此，在每次將4片基板收容于容器內時，會產生用以一次將4片基板冷卻的待機時間，所以有處理量(throughput)降低的課題。此外，即使在加熱多片基板的情形下，以往也是一次加熱多片基板，同樣產生待機時間，而有處理量降低的課題。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2011-49507。

發明內容

[發明所欲解決的課題]

本發明是為了解決所述課題而創作完成，其在于提供一種可在外殼內冷卻或加熱基板，并且可提高處理量的基板收容裝置。

[用以解決課題的技術手段]

為了解決所述課題，本發明的第一技術要點的基板收容裝置具備：外殼，在內部呈真空的狀態下收容多片基板；溫度改變裝置，改變被收容于所述外殼內的所述基板的溫度；以及移送機構，在以既定間隔分離的狀態下保持被收容于所述外殼內的多片所述基板，并且在所述外殼內，將所述基板從由所述外殼的外部所送入的送入位置，移送到用以送出至所述外殼的外部的送出位置為止；且所述移送機構構成為：伴隨著新的所述基板被收容于所述外殼內，從先被收容于所述外殼的所述基板開始依次到達所述送出位置。

所述構成中，由于具備改變被收容于外殼內的基板的溫度的溫度改變裝置，所以可冷卻或加熱被收容于外殼內的基板。

此外，由于移送機構伴隨著新的基板被收容于外殼內，而以使從先被收容于外殼的基板開始依次到達送出位置的方式來移送基板，所以可伴隨著將新的基板收容于外殼，而從先被收容于外殼的基板開始依次送出至外殼的外部。

因此，在基板從收容于外殼內至到達送出位置然后送出至外殼外為止的期間，可確保冷卻時間或加熱時間，并且可在將新的基板送入于外殼內時從外殼依次送出基板。

也就是，不須如以往般耗費用以一次將多片基板冷卻或加熱的待機時間，可伴隨著新的高溫基板被收容于外殼內而將經冷卻或加熱后的基板送出至外部。