[發(fā)明專利]抗飽和限幅器、芯片及驅(qū)動放大器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010123495.2 | 申請日： | 2020-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN111262529B | 公開（公告）日： | 2023-06-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄧世雄;陳書賓;羅建;要志宏;劉曉紅;楊鵬;王喬楠;吳波;蘇彥文;武康;史磊;賈曉亮;李省;王平 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號： | H03F1/02 | 分類號： | H03F1/02 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務所 13120 | 代理人： | 付曉娣 |
| 地址： | 050051 *** | 國省代碼： | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 飽和 限幅器 芯片 驅(qū)動 放大器 | ||
1.一種抗飽和限幅器，其特征在于，包括：多級限幅電路和多個功率負載；
所述多級限幅電路的第一端依次連接在輸入端和輸出端之間，每級限幅電路的第二端的第一端口接地，第一級限幅電路的第二端的第二端口串聯(lián)一個功率負載后接地，最后一級限幅電路的第二端的第二端口串聯(lián)一個功率負載后接地，中間級限幅電路的第二端的第二端口接地，中間級限幅電路為除所述第一級限幅電路和所述最后一級限幅電路之外的限幅電路；
所述每級限幅電路包括二極管D1、二極管D2、二極管D3和二極管D4；所述二極管D1的陰極端和所述二極管D3的陽極端分別作為每級限幅電路的第一端的兩個端口連接在輸入端和輸出端之間；所述二極管D1的陽極端連接所述二極管D2的陰極端，所述二極管D2的陽極端作為第二端的第二端口，所述二極管D3的陰極端連接所述二極管D4的陽極端，所述二極管D4的陰極端作為第二端的第一端口；所述二極管D1、所述二極管D2、所述二極管D3和所述二極管D4均為GaN?PIN二極管。
2.如權(quán)利要求1所述的抗飽和限幅器，其特征在于，還包括：多個移相微帶電路；
每個移相微帶電路串接在兩級限幅電路之間，用于增加限幅器的隔離度。
3.如權(quán)利要求1所述的抗飽和限幅器，其特征在于，所述多級限幅電路為三級限幅電路；
所述多個功率負載均為薄膜電阻。
4.如權(quán)利要求1所述的抗飽和限幅器，其特征在于，還包括：電感L1和電感L2，所述電感L1和所述電感L2為相同的電感；
所述電感L1連接所述第一級限幅電路的第二端的第一端口后接地；
所述電感L2連接所述最后一級限幅電路的第二端的第一端口后接地。
5.如權(quán)利要求4所述的抗飽和限幅器，其特征在于，所述電感L1和所述電感L2均為扼流電感。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的抗飽和限幅器，其特征在于，還包括：SiC襯底；
采用單片集成方式，將權(quán)利要求1至5中任一項所述的抗飽和限幅器集成在所述SiC襯底上。
7.一種芯片，其特征在于，包括權(quán)利要求1至6中任一項所述的抗飽和限幅器。
8.一種驅(qū)動放大器，其特征在于，采用權(quán)利要求1至6中任一項所述的抗飽和限幅器。
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