[發明專利]復合體與SiOC結構體及其制法、負極及組合物、二次電池

在審

• 申請號: 202010122431.0
• 申請日: 2020-02-27
• 公開（公告）號: CN111640917A
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 山田浩綱;西村三和子;近藤正一;佐藤創一朗
• 申請（專利權）人: 捷恩智株式會社;捷恩智石油化學株式會社
• 主分類號: H01M4/36
• 分類號: H01M4/36;H01M4/485;H01M4/60;H01M10/0525;C09D183/04;C09D7/61
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊文娟;臧建明

1.一種碳氧化硅結構體，包含：

(A)至少一個硅系微粒子；以及

(B)碳氧化硅涂層，所述碳氧化硅涂層至少含有Si(硅)、O(氧)及C(碳)作為構成元素，

所述至少一個硅系微粒子由所述碳氧化硅涂層被覆，且

基于體積基準粒度分布的平均粒子徑處于1nm～999μm的范圍。

2.根據權利要求1所述的碳氧化硅結構體，其中基于體積基準粒度分布的平均粒子徑處于1μm～10μm的范圍。

3.根據權利要求1所述的碳氧化硅結構體，其中通過利用所述SiOC涂層完全被覆所述至少一個硅系微粒子而形成有多個二次粒子。

4.一種負極用組合物，包含根據權利要求1所述的SiOC結構體作為負極活性物質。

5.一種負極，包含根據權利要求4所述的負極用組合物。

6.一種鋰離子二次電池，包括至少一個根據權利要求5所述的負極。

7.一種硅系微粒子/含硅聚合物復合體，包含：

(A)至少一個硅系微粒子；以及

(B)涂層，所述涂層含有含硅聚合物，

所述至少一個硅系微粒子由所述涂層被覆，且

基于體積基準粒度分布的平均粒子徑處于1nm～999μm的范圍。

8.根據權利要求7所述的硅系微粒子/含硅聚合物復合體，其中所述含硅聚合物為聚倍半硅氧烷。

9.根據權利要求7所述的硅系微粒子/含硅聚合物復合體，其中所述含硅聚合物包含選自由聚倍半硅氧烷所組成的群組中的至少一個，所述聚倍半硅氧烷分別具有由下述的通式(I)、通式(II)、通式(III)及通式(IV)分別所表示的聚倍半硅氧烷結構，

[化1]

[化2]

[化3]

[化4]

式中，R¹及R⁴分別獨立地選自由碳數1～45的經取代或未經取代的烷基、經取代或未經取代的芳基、及經取代或未經取代的芳基烷基所組成的群組中，在碳數1～45的烷基中，任意的氫可經鹵素取代，任意的-CH₂-可經-O-、-CH＝CH-、亞環烷基或亞環烯基取代，在經取代或未經取代的芳基烷基中的亞烷基中，任意的氫可經鹵素取代，任意的-CH₂-可經-O-、-CH＝CH-或亞環烷基取代；

R²、R³、R⁵及R⁶分別獨立地選自由氫、碳數1～45的經取代或未經取代的烷基、經取代或未經取代的芳基、及經取代或未經取代的芳基烷基所組成的群組中，在碳數1～45的烷基中，任意的氫可經鹵素取代，任意的-CH₂-可經-O-、-CH＝CH-、亞環烷基、亞環烯基或-SiR¹₂-取代，在經取代或未經取代的芳基烷基中的亞烷基中，任意的氫可經鹵素取代，任意的-CH₂-可經-O-、-CH＝CH-、亞環烷基、亞環烯基或-SiR¹₂-取代；n表示1以上的整數。