[發明專利]一種摻鎵裝置、摻鎵系統及使用方法在審
| 申請號: | 202010117508.5 | 申請日: | 2020-02-25 |
| 公開(公告)號: | CN113373506A | 公開(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發明(設計)人: | 楊志;朱毅;烏恩;周澤;王建平;王林;徐強;高潤飛;郭志榮 | 申請(專利權)人: | 內蒙古中環光伏材料有限公司 |
| 主分類號: | C30B15/04 | 分類號: | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司: | 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 欒志超 |
| 地址: | 010070 內蒙古自*** | 國省代碼: | 內蒙古;15 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 裝置 系統 使用方法 | ||
本發明提供一種摻鎵裝置,包括一由硅材料制成的鎵筒主體,鎵筒主體設有容置腔,便于鎵粉的盛裝;一由硅材料制成的連接件,連接件與鎵筒主體連接,便于吊裝。本發明的有益效果是結構簡單,易加工,且使用該摻鎵裝置進行摻鎵時摻鎵過程方便;摻鎵裝置具有連接件,便于摻鎵裝置通過連接裝置與單晶爐重錘連接在一起,使得摻鎵裝置在單晶爐重錘的作用下進行下降,進行摻鎵。
技術領域
本發明屬于硅單晶生產技術領域,尤其是涉及一種摻鎵裝置、摻鎵系統及使用方法。
背景技術
單晶硅作為新能源領域重要材料之一,是制作太陽能電池主要材料,但在太陽能電池使用過程中存在轉換效率衰減情況,目前行業內普遍認為造成轉換效率衰減的原因為當前使用B-Si合金,在單晶硅片后道處理過程當中,造成B-0復合體,致使加快單晶轉化效率衰減。
對此,提出摻鎵單晶硅,由于鎵代替了硼,避免造成B-0復合體,進而改善單晶硅轉換效率在使用過程中快速衰減情況。但是由于當前摻鎵使用擴片方式進行,擴片后在短時間內由于溫度較高不能進行摻鎵,需進行冷卻再進行摻鎵導致工時浪費,且要求操作人員水平較高;此外可以隨著復投料一起進行摻雜,但該方法僅適合于復投完成前進行,但如果需要單獨摻鎵則造成工時與設備的浪費。
發明內容
鑒于上述問題,本發明要解決的問題是提供一種摻鎵裝置、摻鎵系統及使用方法,應用于直拉單晶摻鎵時使用,摻鎵裝置結構簡單,易加工,且摻鎵時間性隨意,不受時間限制,摻鎵方法簡單,降低摻鎵工時。
為解決上述技術問題,本發明采用的技術方案是:一種摻鎵裝置,包括,
一由硅材料制成的鎵筒主體,鎵筒主體設有容置腔,便于鎵粉的盛裝;
一由硅材料制成的連接件,連接件與鎵筒主體連接,便于吊裝。
進一步的,鎵筒主體的壁厚大于5mm。
進一步的,鎵筒主體的高度與鎵粉總量相適應。
進一步的,鎵筒主體的形狀包括但不限于圓柱體。
進一步的,鎵筒主體與連接件的材質包括但不限于單晶硅、多晶硅。
一種摻鎵系統,包括上述的摻鎵裝置、連接裝置和單晶爐重錘,連接裝置的一端與摻鎵裝置連接,連接裝置的另一端與單晶爐重錘連接,籍以單晶爐重錘的作用,使得摻鎵裝置下降至硅溶液內,進行摻鎵。
進一步的,連接裝置為連接繩,連接繩的材質為耐高溫材料。
進一步的,連接繩為鉬絲。
一種摻鎵裝置的使用方法,包括以下步驟,
將鎵粉裝于摻鎵裝置中;
通過連接裝置,將摻鎵裝置與單晶爐重錘連接;
爐體長晶前,將連接后的摻鎵裝置與單晶爐重錘提升至單晶爐副室中,進行副室凈化;
下降摻鎵裝置至坩堝的硅溶液內,摻鎵裝置與鎵粉熔化于硅溶液中,進行摻鎵。
進一步的,在將鎵粉裝于摻鎵裝置之前,進行鎵粉重量的計算。
由于采用上述技術方案,使得摻鎵裝置結構簡單,易加工,且使用該摻鎵裝置進行摻鎵時摻鎵過程方便;摻鎵裝置具有連接件,便于摻鎵裝置通過連接裝置與單晶爐重錘連接在一起,使得摻鎵裝置在單晶爐重錘的作用下進行下降,進行摻鎵;該摻鎵裝置為硅材質,可以直接熔化于硅溶液內,進行摻鎵,不會對硅溶液造成污染,且不會引入新的雜質;應用該摻鎵裝置進行摻鎵,在爐體長晶之前,可以在任何時間進行摻鎵,摻鎵時間性隨意;采用該摻鎵裝置進行摻鎵,將鎵粉與摻鎵裝置一起熔化于硅溶液中,摻鎵方法簡單,降低摻鎵工時。
附圖說明
圖1是本發明的一實施例的摻鎵裝置的結構示意圖;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于內蒙古中環光伏材料有限公司,未經內蒙古中環光伏材料有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010117508.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





