[發(fā)明專利]一種單晶斷苞后自動(dòng)回熔時(shí)回熔狀態(tài)判定的工藝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010116915.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-02-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113373510A | 公開(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙國偉;徐強(qiáng);高潤飛;王林;谷守偉;王建平;周澤;楊志;吳樹飛;劉振宇;劉學(xué);劉有益;皇甫亞楠;楊瑞峰;郭志榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司 |
| 主分類號(hào): | C30B15/20 | 分類號(hào): | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司: | 天津諾德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 欒志超 |
| 地址: | 010070 內(nèi)蒙古自*** | 國省代碼: | 內(nèi)蒙古;15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 單晶斷苞后 自動(dòng) 回熔時(shí)回熔 狀態(tài) 判定 工藝 | ||
本發(fā)明提供一種單晶斷苞后自動(dòng)回熔時(shí)回熔狀態(tài)判定的工藝,在單晶斷苞后自動(dòng)階段下降進(jìn)行回熔單晶回熔時(shí),在每一階段中,測(cè)量回熔單晶的初始重量,并將該回熔單晶下降一定距離至硅溶液液面下,在預(yù)設(shè)的回熔時(shí)間內(nèi)進(jìn)行回熔,當(dāng)達(dá)到回熔時(shí)間后,進(jìn)行回熔單晶是否回熔完的判定,若硅溶液內(nèi)的回熔單晶回熔完,進(jìn)行下一階段下降回熔單晶回熔;否則,進(jìn)行回熔狀態(tài)判定。本發(fā)明的有益效果是采用自動(dòng)控制,對(duì)斷苞后的單晶進(jìn)行階段性回熔,且在每一階段回熔時(shí),自動(dòng)進(jìn)行單晶是否回熔完判斷,降低勞動(dòng)強(qiáng)度,提高工作效率,自動(dòng)化程度高。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于硅單晶生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種單晶斷苞后自動(dòng)回熔時(shí)回熔狀態(tài)判定的工藝。
背景技術(shù)
目前行業(yè)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈,單晶生產(chǎn)企業(yè)自動(dòng)化程度逐步提高,從工業(yè)2.0時(shí)代,逐步邁向工業(yè)3.0、4.0時(shí)代。單晶拉制過程中,等徑過程已實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制,而出現(xiàn)單晶斷苞,且斷苞長度小于400mm時(shí),往往需要人工進(jìn)行回熔,減少不必要的原料浪費(fèi)。
車間大數(shù)據(jù)表明,單晶拉制過程初始斷苞占斷苞總數(shù)的1/5,這一部分的斷苞都需要進(jìn)行回熔,從開始升溫到后期的逐步回熔,全程均需要人工的干預(yù)操作,對(duì)拉晶操作造成很大勞動(dòng)負(fù)擔(dān),對(duì)公司的人力成本、工時(shí)成本造成極大浪費(fèi)。
目前行業(yè)中普遍實(shí)行一名操作員工負(fù)責(zé)12-24臺(tái)單晶爐的工作制度,發(fā)生斷苞需要回熔,操作人員需將部分精力放在回熔單晶中,極大地降低了工作效率,也會(huì)增加因員工精力分散而導(dǎo)致的異常事故發(fā)生概率,造成更大的經(jīng)濟(jì)損失。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題,本發(fā)明要解決的問題是提供一種單晶斷苞后自動(dòng)回熔時(shí)回熔狀態(tài)判定的工藝,尤其適合單晶斷苞后的單晶進(jìn)行回熔,采用自動(dòng)控制,對(duì)斷苞后的單晶進(jìn)行階段性回熔,且在每一階段回熔時(shí),自動(dòng)進(jìn)行單晶是否回熔完判斷,降低勞動(dòng)強(qiáng)度,提高工作效率,自動(dòng)化程度高。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種單晶斷苞后自動(dòng)回熔時(shí)回熔狀態(tài)判定的工藝,在單晶斷苞后自動(dòng)階段下降進(jìn)行回熔單晶回熔時(shí),在每一階段中,測(cè)量回熔單晶的初始重量,并將該回熔單晶下降一定距離至硅溶液液面下,在預(yù)設(shè)的回熔時(shí)間內(nèi)進(jìn)行回熔,當(dāng)達(dá)到回熔時(shí)間后,進(jìn)行回熔單晶是否回熔完的判定,
若硅溶液內(nèi)的回熔單晶回熔完,進(jìn)行下一階段下降回熔單晶回熔;否則,進(jìn)行回熔狀態(tài)判定。
進(jìn)一步的,回熔單晶是否回熔完的判定為:在回熔時(shí)間內(nèi),硅溶液液面接觸電壓是否發(fā)生改變,若接觸電壓發(fā)生改變,則判定回熔單晶回熔完;否則,判定回熔單晶未回熔完。
進(jìn)一步的,回熔狀態(tài)的判定包括以下步驟:
S1:當(dāng)達(dá)到預(yù)設(shè)的回熔時(shí)間后,將回熔單晶提升至下降之前的位置,并測(cè)量回熔單晶的重量;
S2:對(duì)該階段的回熔單晶的初始重量和回熔后的重量進(jìn)行差值計(jì)算,若該差值小于標(biāo)準(zhǔn)差值,則進(jìn)行下一階段的回熔單晶的回熔;否則,進(jìn)行步驟S203;
S3:以該階段下降距離下降回熔單晶,并在預(yù)設(shè)的回熔時(shí)間內(nèi)進(jìn)行回熔,當(dāng)達(dá)到回熔時(shí)間后,進(jìn)行硅溶液內(nèi)的回熔單晶是否回熔完的判定,
若硅溶液內(nèi)的回熔單晶回熔完,進(jìn)行下一階段下降回熔單晶回熔;否則,進(jìn)行步驟S1。
進(jìn)一步的,標(biāo)準(zhǔn)差值為3-5kg。
進(jìn)一步的,回熔時(shí)間為13-15min。
進(jìn)一步的,測(cè)量回熔單晶初始重量的裝置與測(cè)量回熔單晶回熔后的重量裝置均為傳感器。
由于采用上述技術(shù)方案,直拉單晶過程中斷苞后,在進(jìn)行斷苞回熔時(shí),采用自動(dòng)化控制,在斷苞單晶回熔時(shí),無需人工操作,自動(dòng)根據(jù)硅溶液液面接觸電壓和回熔單晶的重量進(jìn)行回熔狀態(tài)判定,保證回熔完全,在回熔后期,加熱器功率恢復(fù)至引晶功率,將硅溶液溫度維持在引晶溫度,便于后續(xù)穩(wěn)溫引晶,提高操作人員的工作效率,降低勞動(dòng)強(qiáng)度,自動(dòng)化水平高。
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