[發明專利]一種單晶斷苞后自動回熔時回熔狀態判定的工藝在審
| 申請號： | 202010116915.4 | 申請日： | 2020-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN113373510A | 公開（公告）日： | 2021-09-10 |
| 發明（設計）人： | 趙國偉;徐強;高潤飛;王林;谷守偉;王建平;周澤;楊志;吳樹飛;劉振宇;劉學;劉有益;皇甫亞楠;楊瑞峰;郭志榮 | 申請（專利權）人： | 內蒙古中環光伏材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/20 | 分類號： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 欒志超 |
| 地址： | 010070 內蒙古自*** | 國省代碼： | 內蒙古;15 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 單晶斷苞后 自動 回熔時回熔 狀態 判定 工藝 | ||
1.一種單晶斷苞后自動回熔時回熔狀態判定的工藝，其特征在于：在單晶斷苞后自動階段下降進行回熔單晶回熔時，在每一階段中，測量所述回熔單晶的初始重量，并將該回熔單晶下降一定距離至所述硅溶液液面下，在預設的回熔時間內進行回熔，當達到所述回熔時間后，進行所述回熔單晶是否回熔完的判定，
若所述硅溶液內的回熔單晶回熔完，進行下一階段下降回熔單晶回熔；否則，進行回熔狀態判定。
2.根據權利要求1所述的單晶斷苞后自動回熔時回熔狀態判定的工藝，其特征在于：所述回熔單晶是否回熔完的判定為：在所述回熔時間內，所述硅溶液液面接觸電壓是否發生改變，若接觸電壓發生改變，則判定所述回熔單晶回熔完；否則，判定所述回熔單晶未回熔完。
3.根據權利要求1或2所述的單晶斷苞后自動回熔時回熔狀態判定的工藝，其特征在于：所述回熔狀態的判定包括以下步驟：
S1：當達到預設的回熔時間后，將所述回熔單晶提升至下降之前的位置，并測量所述回熔單晶的重量；
S2：對該階段的回熔單晶的初始重量和回熔后的重量進行差值計算，若該差值小于標準差值，則進行下一階段的回熔單晶的回熔；否則，進行步驟S203；
S3：以該階段下降距離下降所述回熔單晶，并在預設的回熔時間內進行回熔，當達到所述回熔時間后，進行所述硅溶液內的回熔單晶是否回熔完的判定，
若所述硅溶液內的回熔單晶回熔完，進行下一階段下降回熔單晶回熔；否則，進行步驟S1。
4.根據權利要求3所述的單晶斷苞后自動回熔時回熔狀態判定的工藝，其特征在于：所述標準差值為3-5kg。
5.根據權利要求4所述的單晶斷苞后自動回熔時回熔狀態判定的工藝，其特征在于：所述回熔時間為13-15min。
6.根據權利要求4或5所述的單晶斷苞后自動回熔時回熔狀態判定的工藝，其特征在于：所述測量回熔單晶初始重量的裝置與所述測量回熔單晶回熔后的重量裝置均為傳感器。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于內蒙古中環光伏材料有限公司，未經內蒙古中環光伏材料有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010116915.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種單晶斷苞后自動回熔工藝
- 下一篇：一種螺母缺陷檢測方法
