[發明專利]用于寬輸入高效超薄模塊電源的兩級DC/DC變換器在審
| 申請號： | 202010114818.1 | 申請日： | 2020-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN112202334A | 公開（公告）日： | 2021-01-08 |
| 發明（設計）人： | 高龍;王雪飛;陳龍 | 申請（專利權）人： | 合肥容杰電子技術有限責任公司 |
| 主分類號： | H02M3/335 | 分類號： | H02M3/335;H02M3/158 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市經*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 輸入 高效 超薄 模塊電源 兩級 dc 變換器 | ||
1.一種用于寬輸入高效超薄模塊電源的兩級DC/DC變換器，包括兩開關BUCK-BOOST（升降壓斬波電路）、兩個高頻隔離變壓器，所述兩個高頻隔離變壓器的原邊串聯后接入一個LLC 諧振網絡，LLC 諧振網絡的另一端接入一個橋式電路，橋式電路的另一端接入兩開關BUCK-BOOST（升降壓斬波電路），所述兩個高頻隔離變壓器的副邊連接一個整流電路。
2.根據權利要求1所述的一種用于寬輸入高效超薄模塊電源的兩級DC/DC變換器，其特征在于，所述橋式電路為全橋橋式電路，所述高頻變壓器的原邊單繞組且變壓器副邊單繞組，所述整流電路為全橋整流電路，所述整流管為二極管。
3.根據權利要求1所述的一種用于寬輸入高效超薄模塊電源的兩級DC/DC變換器，其特征在于，所述橋式電路為全橋橋式電路，所述高頻變壓器的原邊單繞組且變壓器副邊單繞組，所述整流電路為全橋整流電路，所述整流管為 MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）。
4.根據權利要求1所述的一種用于寬輸入高效超薄模塊電源的兩級DC/DC變換器，其特征在于，所述橋式電路為全橋橋式電路，所述高頻變壓器的原邊單繞組且變壓器副邊雙繞組，所述整流電路為全波整流電路，所述整流管為二極管。
5.根據權利要求1所述的一種用于寬輸入高效超薄模塊電源的兩級DC/DC變換器，其特征在于，所述橋式電路為全橋橋式電路，所述高頻變壓器的原邊單繞組且變壓器副邊雙繞組，所述整流電路為全波整流電路，所述整流管為 MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）。
6.根據權利要求1所述的一種用于寬輸入高效超薄模塊電源的兩級DC/DC變換器，其特征在于，所述橋式電路為半橋橋式電路，所述高頻變壓器的原邊單繞組且變壓器副邊單繞組，所述整流電路為全橋整流電路，所述整流管為二極管。
7.根據權利要求1所述的一種用于寬輸入高效超薄模塊電源的兩級DC/DC變換器，其特征在于，所述橋式電路為半橋橋式電路，所述高頻變壓器的原邊單繞組且變壓器副邊單繞組，所述整流電路為全橋整流電路，所述整流管為 MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）。
8.根據權利要求1所述的一種用于寬輸入高效超薄模塊電源的兩級DC/DC變換器，其特征在于，所述橋式電路為半橋橋式電路，所述高頻變壓器的原邊單繞組且變壓器副邊雙繞組，所述整流電路為全波整流電路，所述整流管為二極管。
9.根據權利要求1所述的一種用于寬輸入高效超薄模塊電源的兩級DC/DC變換器，其特征在于，所述橋式電路為半橋橋式電路，所述高頻變壓器的原邊單繞組且變壓器副邊雙繞組，所述整流電路為全波整流電路，所述整流管為 MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）。
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