[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010113935.6
• 申請(qǐng)日: 2020-02-20
• 公開（公告）號(hào): CN112420710A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓業(yè)飛;諸岡哲;大谷紀(jì)雄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11519
• 分類號(hào): H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，

具備：

第1布線，沿第1方向延伸；

第2布線，在與上述第1方向交叉的第2方向上與上述第1布線相鄰，沿上述第1方向延伸；

第1溝道部，設(shè)在上述第1布線與上述第2布線之間，沿與上述第1方向及上述第2方向交叉的第3方向延伸；

第2溝道部，設(shè)在上述第1布線與上述第2布線之間，在上述第2方向上與上述第1溝道部相鄰，沿上述第3方向延伸；

第1電荷儲(chǔ)存部，設(shè)在上述第1布線與上述第1溝道部之間；

第2電荷儲(chǔ)存部，設(shè)在上述第2布線與上述第2溝道部之間；

第1絕緣部，包括設(shè)在上述第1電荷儲(chǔ)存部的至少一部分與上述第2電荷儲(chǔ)存部的至少一部分之間的部分，沿上述第1方向延伸；

第2絕緣部，設(shè)在上述第1布線與上述第1絕緣部之間，在上述第1方向上與上述第1電荷儲(chǔ)存部相鄰的位置處沿上述第1方向延伸；以及

第3絕緣部，設(shè)在上述第2布線與上述第1絕緣部之間，在上述第1方向上與上述第2電荷儲(chǔ)存部相鄰的位置處沿上述第1方向延伸。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，

還具備第4絕緣部，所述第4絕緣部在上述第1方向上相對(duì)于上述第1溝道部位于與上述第1絕緣部相反側(cè)，包括設(shè)在上述第1電荷儲(chǔ)存部的另一部分與上述第2電荷儲(chǔ)存部的另一部分之間的部分，沿上述第1方向延伸；

上述第1電荷儲(chǔ)存部具有在上述第1方向上相對(duì)于上述第1電荷儲(chǔ)存部的中央部位于第1側(cè)的第1部分、和相對(duì)于上述第1電荷儲(chǔ)存部的中央部位于與上述第1側(cè)相反的第2側(cè)的第2部分；

上述第1部分具有在上述第2方向上與上述第1絕緣部相鄰的第1端，上述第2部分具有在上述第2方向上與上述第4絕緣部相鄰的第2端；

將上述第1端與上述第2端連結(jié)的假想線和上述第2電荷儲(chǔ)存部之間的最短距離比上述第1布線和上述第2布線之間的最短距離小。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，

上述第1電荷儲(chǔ)存部具有在上述第1方向上相對(duì)于上述第1電荷儲(chǔ)存部的中央部位于第1側(cè)的第1部分、和相對(duì)于上述第1電荷儲(chǔ)存部的中央部位于與上述第1側(cè)相反的第2側(cè)的第2部分；

上述第1部分具有在上述第2方向上與上述第1絕緣部相鄰的第1端，上述第2部分具有在上述第2方向上與上述第1絕緣部相鄰的第2端；

將上述第1端與上述第2端連結(jié)的假想線和上述第2電荷儲(chǔ)存部之間的最短距離比上述第1布線和上述第2布線之間的最短距離小。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，

上述第2絕緣部及上述第3絕緣部分別在上述第1方向上以直線狀延伸。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，

上述第2方向是與上述第1方向正交的方向；

上述第2絕緣部在上述第2方向上不存在于與上述第1溝道部重疊的區(qū)域中，在上述第1方向上分別設(shè)在上述第1電荷儲(chǔ)存部的兩側(cè)。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，

上述第2絕緣部中含有的材料與上述第1絕緣部中含有的材料不同。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，

上述第2絕緣部中含有的材料與上述第1絕緣部中含有的材料相同。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，

具備設(shè)在上述第1布線與上述第1電荷儲(chǔ)存部之間的第1絕緣膜；

上述第2方向上的上述第2絕緣部的最小厚度比上述第2方向上的上述第1絕緣膜的最小厚度大。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，

上述第2方向上的上述第2絕緣部的最小厚度比上述第2方向上的上述第1溝道部的最小厚度大。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，

具備設(shè)在上述第1溝道部與上述第1電荷儲(chǔ)存部之間的第2絕緣膜；

上述第2方向上的上述第2絕緣部的最小厚度比上述第2方向上的上述第2絕緣膜的最小厚度大。