[發(fā)明專利]電弧加熱器弧根運動速度的測定方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010112947.7 | 申請日: | 2020-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN111398621B | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉源;袁竭 | 申請(專利權(quán))人: | 清華大學(xué) |
| 主分類號: | G01P3/50 | 分類號: | G01P3/50 |
| 代理公司: | 北京華進京聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11606 | 代理人: | 哈達 |
| 地址: | 100084*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電弧 加熱器 運動 速度 測定 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種電弧加熱器弧根運動速度的測定方法,包括以下步驟:將電極安裝在電弧加熱器中,在待測試的工況下運行,使弧根在所述電極的表面運動,形成弧根區(qū);所述弧根在所述弧根區(qū)運動過程中燒蝕所述電極后熔化產(chǎn)生熔滴,所述熔滴熔滴在氣流的作用下飛濺,并沿所述氣流的方向附著在所述電極表面形成熔滴痕跡;建立所述弧根的受力平衡與所述熔滴痕跡的關(guān)系方程,計算得到所述弧根的運動速度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電弧加熱器技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種電弧加熱器弧根運動速度的測定方法。
背景技術(shù)
電弧加熱器在工業(yè)及軍事上有大量的應(yīng)用,如工業(yè)點火等離子體炬、高超聲速熱防護的電弧加熱器等。該類電弧加熱器一般使用圓筒形電極,通過旋轉(zhuǎn)氣流和線圈產(chǎn)生磁場使電弧的弧根在電極內(nèi)壁高速運動以減少燒蝕。弧根在電極內(nèi)壁的運動速度直接決定了弧根在電極表面停留的時間,停留時間越長燒蝕越嚴(yán)重,因此準(zhǔn)確地獲得弧根在電極內(nèi)壁的運動速度具有重要意義。
現(xiàn)有測量弧根運動速度的方法主要通過光學(xué)方法測量,該方法是在圓筒形電極端部布置光學(xué)窗口,然后布置光路測量弧根的運動。光學(xué)方法測量弧根運動時,布置光學(xué)窗口比較困難,而且光路設(shè)置復(fù)雜,同時受到電弧強烈光照和振動的影響測量精度波動較大。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要針對現(xiàn)有光學(xué)測量法測定弧根運動速度的裝置布置復(fù)雜、測試難度大的問題,提供一種電弧加熱器弧根運動速度的測定方法,可以高效、便捷地測量弧根的運動速度。
一種電弧加熱器弧根運動速度的測定方法,包括以下步驟:
將電極安裝在電弧加熱器中,在待測試的工況下運行,使弧根在所述電極的表面運動,形成弧根區(qū);
所述弧根在所述弧根區(qū)運動過程中燒蝕所述電極后熔化產(chǎn)生熔滴,所述熔滴在氣流的作用下飛濺,并沿所述氣流的方向附著在所述電極表面形成熔滴痕跡;
建立所述弧根的受力平衡與所述熔滴痕跡的關(guān)系方程,計算得到所述弧根的運動速度。
在其中一個實施例中,建立所述弧根的受力平衡與所述熔滴痕跡的關(guān)系方程的步驟包括:
建立所述弧根的受力平衡方程;以及
建立所述熔滴痕跡的曲線與所述弧根的受力平衡方程中特定參數(shù)的關(guān)系。
在其中一個實施例中,建立所述熔滴痕跡的曲線與所述弧根的受力平衡方程中特定參數(shù)的關(guān)系的步驟包括:測定所述熔滴痕跡與所述弧根的運動方向的夾角θ。
在其中一個實施例中,所述電極為圓筒形電極。
在其中一個實施例中,所述弧根在所述電極中的運動為繞所述圓筒形電極的內(nèi)壁轉(zhuǎn)動,所述轉(zhuǎn)動方向垂直于所述電極的軸向。
在其中一個實施例中,所述熔滴痕跡為螺旋狀。
在其中一個實施例中,所述弧根的運動速度的計算方程為:
其中,v0為所述弧根的運動速度,I為所述電弧加熱器的運行電流強度,B為磁感應(yīng)強度,ρ0為標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下氣流的密度,是與弧根位置的氣流軸向速度相關(guān)的速度。
在其中一個實施例中,所述弧根產(chǎn)生的所述熔滴的速度vd沿相互垂直的方向能夠分解為所述弧根的運動速度v0和所述弧根位置的氣流軸向速度vx。
在其中一個實施例中,與所述弧根位置的氣流軸向速度的關(guān)系方程為:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于清華大學(xué),未經(jīng)清華大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010112947.7/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





