[發明專利]半導體結構制備方法和半導體結構

有效

• 申請號: 202010110965.1
• 申請日: 2020-02-24
• 公開（公告）號: CN113299651B
• 公開（公告）日: 2023-06-16
• 發明（設計）人: 鮑錫飛;儲瑤瑤
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種半導體結構制備方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成至少兩個凹槽，所述凹槽側壁具有凹陷區域，所述凹陷區域朝向遠離凹槽中心軸線的方向凹陷；

在所述凹槽側壁形成第一介質層，所述第一介質層覆蓋所述凹陷區域，位于一所述凹槽的凹陷區域側壁的所述第一介質層與位于相鄰的一所述凹槽的凹陷區域側壁的所述第一介質層直接接觸；

在所述凹槽底部和所述第一介質層內表面形成第一電極；

在所述第一電極表面形成第二介質層；

在所述第二介質層表面形成第二電極。

2.根據權利要求1所述的半導體結構制備方法，其特征在于，在所述凹槽側壁上的凹陷區域形成的所述第一介質層與其鄰近凹槽側壁上的所述第一介質層直接接觸。

3.根據權利要求1至2中任一項所述的半導體結構制備方法，其特征在于，所述第一介質層的材料包含高K材料。

4.根據權利要求3所述的半導體結構制備方法，其特征在于，所述高K材料包含Zr、Hf、Nb、Al或O中的任一元素或其任意組合。

5.根據權利要求1所述的半導體結構制備方法，其特征在于，所述基底還包括支撐層和犧牲層；

在所述第一電極表面形成第二介質層之后，在所述第二介質層表面形成第二電極之前，還包括：刻蝕所述支撐層形成至少暴露部分所述犧牲層的開口；通過所述開口刻蝕去除所述犧牲層形成暴露出所述第一介質層外表面的空間區域；

在所述空間區域內形成所述第二電極。

6.根據權利要求5所述的半導體結構制備方法，其特征在于，所述刻蝕所述支撐層形成至少暴露部分所述犧牲層的開口還包括：所述開口暴露出所述第一電極；

在所述通過所述開口刻蝕去除所述犧牲層形成暴露出所述第一介質層外表面的空間區域之后，且在所述第二介質層表面形成第二電極之前，還包括：在暴露的所述第一電極上沉積第三介質層。

7.一種半導體結構，其特征在于，包括：

基底，所述基底具有至少兩個凹槽，所述凹槽側壁具有凹陷區域，所述凹陷區域朝向遠離凹槽中心軸線的方向凹陷；

第一介質層，所述第一介質層位于所述凹槽側壁，所述第一介質層覆蓋所述凹陷區域，位于一所述凹槽的凹陷區域側壁的所述第一介質層與位于相鄰的一所述凹槽的凹陷區域側壁的所述第一介質層直接接觸；

第一電極，所述第一電極位于所述凹槽底部和所述第一介質層內表面；

第二介質層，所述第二介質層位于所述第一電極表面；

第二電極，所述第二電極位于所述第二介質層表面。

8.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述基底包括支撐層，所述凹槽貫穿所述支撐層形成支撐層側面，所述第一介質層與所述支撐層側面直接接觸。

9.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述第二電極還位于所述第一介質層的外表面。

10.根據權利要求7至9中任一項所述的半導體結構，其特征在于，所述第一介質層的材料包含高K材料。

11.根據權利要求10所述的半導體結構，其特征在于，所述高K材料包含Zr、Hf、Nb、Al或O中的任一元素或其任意組合。

12.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括第三介質層，所述第三介質層位于所述第一電極的頂部和所述第二電極之間，并與所述第一電極和所述第二電極直接接觸。

13.根據權利要求12所述的半導體結構，其特征在于，所述第三介質層的材料包含高K材料。