[發明專利]非揮發性存儲組件及其制造方法

有效

• 申請號: 202010108951.6
• 申請日: 2020-02-21
• 公開（公告）號: CN113299657B
• 公開（公告）日: 2023-08-15
• 發明（設計）人: 李國隆;潘志豪;王思蘋;陳柏瑄;黃啟政
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H10B43/00
• 分類號: H10B43/00;H10B43/30
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種非揮發性存儲組件，其特征在于，包括:

基板；

第一柵極結構，設置在所述基板上；

第二柵極結構，設置在所述基板上；

存儲柵極結構，設置在所述基板上在所述第一柵極結構與所述第二柵極結構之間，且也至少覆蓋在所述第一柵極結構與所述第二柵極結構上，其中所述存儲柵極結構包含:

電荷存儲層，設置在所述基板上，其中在所述第一柵極結構與所述第二柵極結構之間的所述電荷存儲層是連續結構；以及

存儲柵極層，設置在所述電荷存儲層上且覆蓋所述第一柵極結構和所述第二柵極結構的上部表面的至少一部分，其中所述存儲柵極結構的側壁切齊所述電荷存儲層的側壁。

2.根據權利要求1所述的非揮發性存儲組件，其特征在于，所述電荷存儲層是氧化物/氮化物/氧化物(ONO)結構。

3.根據權利要求1所述的非揮發性存儲組件，其特征在于，還包括間隙壁在所述第一柵極結構與所述第二柵極結構的側壁上，被所述電荷存儲層覆蓋。

4.根據權利要求1所述的非揮發性存儲組件，其特征在于，所述存儲柵極結構是填入在所述第一柵極結構與所述第二柵極結構之間的凹陷，其中所述存儲柵極結構的側部區域是提升部分，以覆蓋過所述第一柵極結構與所述第二柵極結構的上部表面的至少一部分。

5.根據權利要求1所述的非揮發性存儲組件，其特征在于，還包括第三柵極構，設置在所述基板上。

6.根據權利要求1所述的非揮發性存儲組件，其特征在于，其中所述第一柵極結構是用以傳遞對應二進制數據的電壓值到所述存儲柵極結構，以及所述第二柵極結構是用以輸出所述二進制數據。

7.一種制造非揮發性存儲組件的方法，其特征在于，包括:

提供基板；

形成第一柵極結構與第二柵極結構在所述基板上；

形成電荷存儲層，覆蓋過所述第一柵極結構、所述第二柵極結構以及所述基板；

形成存儲柵極層在所述電荷存儲層上；以及

定義所述存儲柵極層與所述電荷存儲層，以形成存儲柵極結構，其中在所述第一柵極結構與所述第二柵極結構之間的所述電荷存儲層是連續結構，所述存儲柵極結構至少覆蓋所述第一柵極結構與所述第二柵極結構的上部表面的至少一部分，其中所述存儲柵極層的側壁切齊所述電荷存儲層的側壁。

8.根據權利要求7所述的制造非揮發性存儲組件的方法，其特征在于，所述電荷存儲層是氧化物/氮化物/氧化物(ONO)結構。

9.根據權利要求7所述的制造非揮發性存儲組件的方法，其特征在于，在定義所述存儲柵極層與所述電荷存儲層的步驟中包括使用相同的掩模層。

10.根據權利要求7所述的制造非揮發性存儲組件的方法，其特征在于，還包括形成間隙壁在所述第一柵極結構與所述第二柵極結構的側壁上，被所述電荷存儲層覆蓋。

11.根據權利要求7所述的制造非揮發性存儲組件的方法，其特征在于，所述存儲柵極結構是填入在所述第一柵極結構與所述第二柵極結構之間的凹陷，其中所述存儲柵極結構的側部區域是提升部分，以覆蓋過所述第一柵極結構與所述第二柵極結構的上部表面的至少一部分。

12.根據權利要求7所述的制造非揮發性存儲組件的方法，其特征在于，還包括第三柵極構，設置在所述基板上。

13.根據權利要求7所述的制造非揮發性存儲組件的方法，其特征在于，所述第一柵極結構是用以傳遞對應二進制數據的電壓值到所述存儲柵極結構，以及所述第二柵極結構是用以輸出所述二進制數據。