[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲器件和具有該半導(dǎo)體存儲器件的存儲系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010108158.6
• 申請日: 2020-02-21
• 公開（公告）號: CN111796963A
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 柳睿信;車相彥;金賢起;辛薰
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 邵亞麗

1.一種半導(dǎo)體存儲器件，包括：

存儲單元陣列，包括：

多個存儲塊，被配置為響應(yīng)于多個列選擇信號分別存儲多條部分局部數(shù)據(jù)，或者響應(yīng)于全局奇偶校驗列選擇信號存儲第一部分全局奇偶校驗；

局部奇偶校驗存儲塊，被配置為響應(yīng)于所述多個列選擇信號存儲多條局部數(shù)據(jù)的多個局部奇偶校驗，或者響應(yīng)于所述全局奇偶校驗列選擇信號存儲第二部分全局奇偶校驗；和

寄存器塊，被配置為生成包括多個第一部分全局奇偶校驗和所述第二部分全局奇偶校驗的全局奇偶校驗，

其中，所述多條局部數(shù)據(jù)中的每一條包括所述多條部分局部數(shù)據(jù)，并且所述全局奇偶校驗是所述多條局部數(shù)據(jù)和所述多個局部奇偶校驗的奇偶校驗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述局部奇偶校驗存儲塊和所述多個存儲塊中的每一個包括：

多個第一子存儲塊，被配置為響應(yīng)于多個字線選擇信號和所述多個列選擇信號分別存儲所述部分局部數(shù)據(jù)或所述局部奇偶校驗；和

第二子存儲塊，被配置為響應(yīng)于所述多個字線選擇信號和所述全局奇偶校驗列選擇信號存儲所述第一部分全局奇偶校驗或所述第二部分全局奇偶校驗。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲器件，還包括：

命令/地址生成器，被配置為接收從外部施加的命令/地址，對包括在所述命令/地址中的命令信號進行解碼，生成激活命令、寫入命令或預(yù)充電命令，并且使用包括在所述命令/地址中的地址信號生成行地址或列地址；以及

糾錯碼ECC編碼器，被配置為當所述寫入命令被施加時，接收新的局部數(shù)據(jù)并且生成所述新的局部數(shù)據(jù)的新的局部奇偶校驗，

其中，當所述寫入命令被施加時，所述存儲單元陣列響應(yīng)于所述多個字線選擇信號中的相應(yīng)的字線選擇信號和所述多個列選擇信號中的相應(yīng)的列選擇信號，向所述寄存器塊輸出存儲在所述多個存儲塊和所述局部奇偶校驗存儲塊中的每一個的所述多個第一子存儲塊的所選第一子存儲塊中的、先前的局部數(shù)據(jù)和先前的局部奇偶校驗，所述多個字線選擇信號是響應(yīng)于所述行地址生成的，所述多個列選擇信號是響應(yīng)于所述列地址生成的，并且所述存儲單元陣列接收所述新的局部數(shù)據(jù)和所述新的局部奇偶校驗并將所述新的局部數(shù)據(jù)和所述新的局部奇偶校驗存儲在所述存儲單元陣列中，并且所述寄存器塊使用所述先前的局部數(shù)據(jù)、所述先前的局部奇偶校驗、所述新的局部數(shù)據(jù)以及所述新的局部奇偶校驗生成中間全局奇偶校驗。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述ECC編碼器使用所述新的局部數(shù)據(jù)和循環(huán)冗余校驗CRC生成多項式生成所述新的局部奇偶校驗，所述循環(huán)冗余校驗生成多項式是X⁸+X⁷+X⁶+X³+X²+X+1。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，當所述激活命令被施加時，所述寄存器塊被復(fù)位。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，當所述預(yù)充電命令被施加時，所述多個存儲塊和所述局部奇偶校驗存儲塊的所述第二子存儲塊響應(yīng)于所述多個字線選擇信號中的相應(yīng)的字線選擇信號和所述全局奇偶校驗列選擇信號，向所述寄存器塊輸出存儲的先前的全局奇偶校驗，

其中，所述寄存器塊執(zhí)行全局ECC編碼操作，所述全局ECC編碼操作使用所述中間全局奇偶校驗和所述先前的全局奇偶校驗生成新的全局奇偶校驗并且響應(yīng)于所述相應(yīng)的字線選擇信號和所述全局奇偶校驗列選擇信號，向所述多個存儲塊和所述局部奇偶校驗存儲塊的所述第二子存儲塊輸出所述新的全局奇偶校驗。