[發(fā)明專利]氣相二氧化硅表面改性連續(xù)工藝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010108155.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-02-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111286215B | 公開(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳春蕾;段先健;羅勇良;王躍林;王成剛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣州匯富研究院有限公司;湖北匯富納米材料股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C09C1/28 | 分類號(hào): | C09C1/28;C09C3/04;C09C3/08;C09C3/10;B01J8/24;B01J8/18 |
| 代理公司: | 廣州廣典知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44365 | 代理人: | 萬志香 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市高新技*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 二氧化硅 表面 改性 連續(xù) 工藝 | ||
本發(fā)明涉及一種氣相二氧化硅表面改性連續(xù)工藝,所述工藝包括以下步驟:(1)細(xì)化和蓬松化:將氣相二氧化硅粉體原料經(jīng)細(xì)化和蓬松化裝置進(jìn)行細(xì)化和蓬松化,所述細(xì)化和蓬松化裝置的轉(zhuǎn)速為800~3000轉(zhuǎn)/分;(2)催化混合負(fù)載:催化劑經(jīng)催化混合負(fù)載裝置負(fù)載在步驟(1)所得的氣相二氧化硅粉體上;所述催化混合負(fù)載裝置的轉(zhuǎn)速為1500~3000轉(zhuǎn)/分;(3)表面改性;(4)粉體脫低;(5)尾氣除塵和尾氣吸收;(6)粉體冷卻。本發(fā)明所述氣相二氧化硅表面改性連續(xù)工藝可制備得到原料粉體表面改性均勻、疏水性能好的改性氣相法二氧化硅。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及化工領(lǐng)域,特別涉及一種氣相二氧化硅表面改性連續(xù)工藝。
背景技術(shù)
氣相二氧化硅是通過氯硅烷在氫氣和氧氣火焰中進(jìn)行高溫水解縮合所合成,在氣相二氧化硅粒子形成的過程中,在二氧化硅表面殘留有大量的硅羥基(Si-OH),硅羥基的存在,一方面可賦予氣相二氧化硅較高的表面活性,帶來一系列的特殊性能如補(bǔ)強(qiáng)、增稠和觸變等性能;但同時(shí)也帶來一些不利影響,比如導(dǎo)致氣相二氧化硅容易團(tuán)聚,分散困難、易吸潮等,對(duì)氣相二氧化硅的后續(xù)應(yīng)用影響非常大。因此通常需要對(duì)氣相二氧化硅進(jìn)行表面改性。
氣相二氧化硅粉體原料在很多工業(yè)領(lǐng)域都存在重要應(yīng)用,不同工業(yè)領(lǐng)域?qū)Ψ垠w原料的特性有著不同的應(yīng)用需求,通常未經(jīng)過表面改性的粉體原料并不具備相應(yīng)的性能,因此需要采用表面改性對(duì)粉體原料性能加以改造,以滿足應(yīng)用領(lǐng)域生產(chǎn)需要。常用的表面改性技術(shù)包括物理包覆改性和表面化學(xué)改性,而采用機(jī)械混合的工藝,雖然操作簡單,過程方便,但是該混合方式存在改性不均勻、低分子去除困難以及尾氣采集困難的缺點(diǎn);另外,從工藝是否連續(xù)角度,粉體原料的改性也分為間歇法和連續(xù)法。間歇法雖然操作簡單,但存在生產(chǎn)效率低下,批次間產(chǎn)品不一致的問題。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,本發(fā)明的目的之一是提供一種氣相二氧化硅表面改性連續(xù)工藝,可制備得到表面改性充分、疏水性能好的改性氣相二氧化硅。
具體技術(shù)方案如下:
一種氣相二氧化硅表面改性連續(xù)工藝,包括以下步驟:
(1)細(xì)化和蓬松化:將氣相二氧化硅粉體原料經(jīng)粉體細(xì)化和蓬松化裝置進(jìn)行細(xì)化和蓬松化,所述細(xì)化和蓬松化裝置的轉(zhuǎn)速為800~3000轉(zhuǎn)/分;
(2)催化混合負(fù)載:催化劑經(jīng)催化混合負(fù)載裝置負(fù)載在步驟(1)所得的氣相二氧化硅粉體上;所述催化混合負(fù)載裝置的轉(zhuǎn)速為1500~3000轉(zhuǎn)/分;
(3)表面改性:將負(fù)載催化劑的氣相二氧化硅粉體于150~300℃用改性劑進(jìn)行表面改性;
(4)粉體脫低:將改性后的氣相二氧化硅粉體于200~350℃脫除低分子,得脫低氣相二氧化硅粉體和尾氣;
(5)尾氣除塵和尾氣吸收;
(6)粉體冷卻:將步驟(4)所得的脫低氣相二氧化硅粉體冷卻;
步驟(2)所述催化劑為堿的水溶液或者酸的水溶液;步驟(3)所述改性劑為可汽化的氯硅烷、硅氮烷、低粘度羥基硅油、環(huán)硅氧烷、有機(jī)醇、有機(jī)酸、有機(jī)胺類的至少一種。
在其中一些實(shí)施例中,步驟(1)所述粉體細(xì)化和蓬松化裝置和步驟(2)所述催化混合負(fù)載裝置均包括兩個(gè)及以上的高速剪切分散裝置;
所述粉體細(xì)化和蓬松化裝置的第一個(gè)高速剪切分散裝置的轉(zhuǎn)速為1800~2200轉(zhuǎn)/分,第二個(gè)高速剪切分散裝置的轉(zhuǎn)速為2300~2700轉(zhuǎn)/分;
所述催化混合負(fù)載裝置的第一個(gè)高速剪切分散裝置的轉(zhuǎn)速為2300~2700轉(zhuǎn)/分,第二個(gè)高速剪切分散裝置的轉(zhuǎn)速為2800~3200轉(zhuǎn)/分。
在其中一些實(shí)施例中,步驟(2)中,所述催化劑選自質(zhì)量分?jǐn)?shù)為18~22%的堿的水溶液或質(zhì)量分?jǐn)?shù)為8~12%的鹽酸水溶液。
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