[發明專利]發光裝置在審
| 申請號: | 202010106931.5 | 申請日: | 2020-02-20 |
| 公開(公告)號: | CN111725254A | 公開(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發明(設計)人: | 林小郎;蔡宗翰 | 申請(專利權)人: | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139 | 代理人: | 侯奇慧 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 裝置 | ||
本發明公開一種發光裝置,包含多個發光元件、多個顏色轉換元件以及保護層。多個顏色轉換元件設置在多個發光元件的至少一部分上,保護層設置在多個顏色轉換元件上,其中保護層可以包含一種多層結構。
技術領域
本發明涉及一種發光裝置,特別是一種可以具有無機-有機多層結構的保護層的發光裝置。
背景技術
量子點(QD)材料在電子設備中的可靠性仍然還不夠好。暴露于濕氣或氧氣下會使量子點的性能下降,并導致量子點無法正常運作。因為在各種量子點-有機發光裝置結構中,對于用于量子點的保護層要求非常高,所以傳統的量子點-有機發光裝置(QD-OLED)結構,還不能有效地保護量子點不受損壞。
在量子點-有機發光裝置的制造過程中,挑戰著其對耐光性、耐熱性、耐水性、耐氧性和耐化學性的要求,并且這些要求是必要的。因此,本領域目前所遭遇到的嚴重問題,即是各種量子點-有機發光裝置結構中的量子點層,并不能被保護結構良好地保護住,而免受光、熱、濕氣、氧氣和化學物質的損害。
發明內容
有鑒于此,本發明于是提出一種發光裝置,以解決目前本領域所遭遇的技術問題。
根據本發明的一種實施例,發光裝置可以包含多個發光元件、多個顏色轉換元件與保護層。多個顏色轉換元件可以設置在多個發光元件的至少一部分上,保護層可以設置在多個顏色轉換元件上,其中保護層可以是一種多層結構。
附圖說明
圖1A是根據本發明的一實施例的發光裝置的截面圖的結構示意圖。
圖1B是根據本發明的第一實施例變化型的發光裝置的截面圖的示意圖。
圖1C是根據本發明的另一個第一實施例變化型的發光裝置的截面圖的示意圖。
圖2是根據本發明的另一實施例的發光裝置中的像素的俯視圖的示意圖。
圖3是根據本發明的多種變化型實施例的保護層的截面圖的示意圖。
圖4是根據本發明的各變化型實施例的發光裝置的截面圖的示意圖。
圖5是根據本發明的另一實施例的發光裝置中的多個發光元件的截面圖的示意圖。
圖6是根據本發明的另一實施例的發光裝置中的多個量子點的截面圖的示意圖。
圖7是根據本發明的另一實施例的發光裝置的截面圖的示意圖。
圖8A是根據本發明的另一實施例的發光裝置的截面圖的示意圖。
圖8B是根據本發明的另一實施例的發光裝置的截面圖的示意圖。
圖9是根據本發明的另一實施例的發光裝置的截面圖的示意圖。
圖10A是根據本發明的另一實施例的發光裝置的截面圖的示意圖。
圖10B是根據本發明的另一實施例的發光裝置的截面圖的示意圖。
圖10C是根據本發明的另一實施例的發光裝置的截面圖的示意圖。
圖10D是根據本發明的另一實施例的發光裝置的截面圖的示意圖。
圖10E是根據本發明的另一實施例的發光裝置的截面圖的示意圖。
圖10F是根據本發明的另一實施例的發光裝置的截面圖的示意圖。
圖10G是根據本發明的另一實施例的發光裝置的截面圖的示意圖。
圖10H是根據本發明的另一實施例的發光裝置的截面圖的示意圖。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于群創光電股份有限公司,未經群創光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010106931.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





