[發(fā)明專利]固體電解電容器及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010103269.8
• 申請日: 2020-02-19
• 公開（公告）號: CN111834129A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發(fā)明（設計）人: 山崎蓮姬;隈川隆博
• 申請（專利權）人: 松下知識產(chǎn)權經(jīng)營株式會社
• 主分類號: H01G9/15
• 分類號: H01G9/15;H01G9/08;H01G9/012;H01G9/07;H01G9/04
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 韓丁

本發(fā)明提供固體電解電容器及其制造方法，在固體電解電容器中，能夠在維持良好的電特性的同時，實現(xiàn)較高的可靠性。固體電解電容器100具有被層疊的多個電容器元件(1)。電容器元件(1)具備：陽極體(2)；電介質(zhì)層(3)，設置于陽極體(2)的表面，且具有多個空隙(3a)；固體電解質(zhì)層(5)，設置于電介質(zhì)層(3)的表面；陰極體(6)，設置于固體電解質(zhì)層(5)的表面；絕緣層(4)，設置于所述電介質(zhì)層中的陽極側，且包含將陽極側與陰極側絕緣隔離的絕緣樹脂(16)。絕緣樹脂(16)填充于絕緣層(4)中包含的多個空隙(3a)。在相鄰的絕緣層(4)之間設置有陽極部粘接樹脂(17)。

技術領域

本發(fā)明涉及固體電解電容器及其制造方法。

背景技術

伴隨著電子設備的高頻化，需要高頻區(qū)域的阻抗特性優(yōu)異的電容器。為了應對該要求，對將導電性高的導電性高分子用作固體電解質(zhì)的固體電解電容器進行了各種研究(例如，參照專利文獻1)。

另外，近年來，對于在個人計算機的CPU(Central Processing Unit，中央處理器)周圍等使用的固體電解電容器，非常希望其小型且大容量化。并且，要求與高頻化對應的低ESR(Equivalent Series Resistance：等效串聯(lián)電阻)化，或者要求噪聲除去或瞬態(tài)響應性優(yōu)異的低ESL(Equivalent Series Inductance：等效串聯(lián)電感)化。而且，為了應對這些要求而進行了各種研究。

在此，使用圖3，對專利文獻1中公開的層疊型固體電解電容器進行說明。圖3是專利文獻1中公開的層疊型固體電解電容器的側面剖面圖。

在圖3中，固體電解電容器31具備：層疊體33、封裝43、陽極側外部電極47、以及陰極側外部電極48。

層疊體33是將多個電容器元件32層疊而成的。電容器元件32具有：閥作用金屬基體34，具備芯部35及沿著其表面形成的粗面部36；電介質(zhì)被膜37，形成于粗面部36上；固體電解質(zhì)層39，形成于電介質(zhì)被膜37上；集電體層40，形成于固體電解質(zhì)層39上。多個電容器元件32的各集電體層40相互電連接。

封裝43具有電絕緣性，以閥作用金屬基體34的一方的端面38在第一端面44上露出的狀態(tài)，覆蓋層疊體33。

陽極側外部電極47設置于封裝43的第一端面44上、以及與其端面鄰接的上表面及下表面各自的一部分上。另外，陽極側外部電極47與閥作用金屬基體34的芯部35電連接。

陰極側外部電極48設置于封裝43的與第一端面44相對置的第二端面45。另外，陰極側外部電極48與集電體層40電連接。

陽極側外部電極47包括第一導電層49、第二導電層50、以及第三導電層51。第一導電層49以與閥作用金屬34的芯部35直接接觸的方式形成，且將相鄰的電容器元件32的各閥作用金屬基體34的芯部35相互電連接。另外，第一導電層49通過濺射那樣的干式工藝以如下方式形成，即，覆蓋閥作用金屬基體34的一方的端面38及其周圍的封裝43的第一端面44整體，并且延伸至與第一端面44鄰接的上表面及下表面各自的一部分上。

在具有上述的結構的固體電解電容器31中，能夠抑制水向閥作用金屬基體34的粗面部36的滲入、以及水分向粗面部36與封裝43之間的滲入。另外，第二導電層50形成于第一導電層49之上，因此能夠提高緊密附著強度。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：專利第6233410號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

在專利文獻1的固體電解電容器31中，在閥作用金屬基體34的一方的端面38露出的芯部35由Al(鋁)箔等金屬箔構成。另外，對該金屬箔的表面進行蝕刻加工，來形成粗面部36，在其之上形成電介質(zhì)被膜37。