[發(fā)明專利]一種稠合多環(huán)化合物及其制備方法和用途

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010102592.3
• 申請日: 2020-02-19
• 公開（公告）號: CN111233888B
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 魏定緯;蔡燁;丁歡達(dá);謝坤山;陳志寬
• 申請（專利權(quán)）人: 寧波盧米藍(lán)新材料有限公司
• 主分類號: C07D495/04
• 分類號: C07D495/04;C07F5/02;C07D519/00;C07F9/6584;C07D491/048;C07D491/153;C07D495/14;C07D491/147;C07D495/22;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 李靜

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種稠合多環(huán)化合物及其制備方法和用途。本發(fā)明提供的稠合多環(huán)化合物，具有如通式Ⅳ所示的結(jié)構(gòu)，該化合物結(jié)構(gòu)具有雙偶極性，主體材料的HOMO能級和LUMO能級可分別定位于不同的供電子基團(tuán)和吸電子基團(tuán)上，使得主體材料中電荷和空穴傳輸?shù)钠胶庑院茫瑪U(kuò)大了發(fā)光層中空穴和電子復(fù)合的區(qū)域，降低激子濃度，防止器件的三線態(tài)?三線態(tài)湮滅，提高了器件效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種稠合多環(huán)化合物及其制備方法和用途。

背景技術(shù)

有機(jī)電致發(fā)光二極管(organic light-emitting diodes，OLEDs)由于響應(yīng)快、能耗低、自發(fā)光、色域廣、超薄、具有可折疊及柔性等優(yōu)點(diǎn)，是未來比液晶顯示技術(shù)更具有應(yīng)用前景的新型顯示技術(shù)，從而越來越受到人們的重視。

1987年，美國柯達(dá)公司(Eastman Kodak)實(shí)驗(yàn)室的鄧青云等人首度利用真空蒸鍍的方式制作成第一個有機(jī)發(fā)光二極管(organic light-emitting diodes,OLED)器件(以下簡稱OLED器件)，其以透明且可以導(dǎo)電的氧化銦錫(ITO)作為陰極，并在上面依序蒸鍍二胺基衍生物與三(8-羥基喹啉)鋁，陽極材料則使用鎂銀合金，此種多層結(jié)構(gòu)能降低OLED器件的驅(qū)動電壓，并有效改善材料分子與電極界面間的電荷注入問題，器件效能與壽命也因而提升。

與傳統(tǒng)技術(shù)相比，OLED器件擁有驅(qū)動電壓低、發(fā)光效率高、對比度高、色飽和度高、視角廣、及響應(yīng)時間快等諸多優(yōu)點(diǎn)。現(xiàn)今的OLED器件包含空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、及電子注入層中之復(fù)數(shù)層，并搭配合適之電極，該復(fù)數(shù)層分別由以下材料所構(gòu)成：空穴注入材料、空穴傳輸材料、發(fā)光材料、空穴阻擋材料、電子傳輸材料、及電子注入材料，其中，采用摻雜方式制作的OLED發(fā)光層在器件的發(fā)光效率上具有優(yōu)勢，因此發(fā)光層材料常利用主體材料摻雜客體材料形成，而主體材料是影響OLED器件的發(fā)光效率和性能的重要因素。其中，4,4'-Bis(9H-carbazol-9-yl)biphenyl(CBP)是一種廣泛應(yīng)用的主體材料，具有良好的空穴傳輸性質(zhì)，但CBP作為主體材料使用時，由于其玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度低，易于重結(jié)晶，導(dǎo)致OLED器件的使用性能和發(fā)光效率降低。另一方面，材料分子量的增加，可以提高材料的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度和熱穩(wěn)定性，但同時也會降低材料的三線態(tài)能級，影響器件的使用壽命和發(fā)光效率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的發(fā)光層主體材料存在玻璃轉(zhuǎn)化溫度低、易結(jié)晶，熱穩(wěn)定性差，無法兼具良好的熱穩(wěn)定性與高三線態(tài)能級的缺陷。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

一種稠合多環(huán)化合物，具有如下所示的結(jié)構(gòu)：

其中，苯環(huán)A在1、2位置處或2、3位置處或3、4位置處與連接形成共有一邊的稠環(huán)，“＊”和表示連接位點(diǎn)；

T¹獨(dú)立選自單鍵、NR²⁴、S、O、BR²⁴、PR²⁴、C(R²⁴)₂，其中，R²⁴相同或不同，并分別獨(dú)立選自甲基、氘代甲基、苯基、氘代苯基、聯(lián)苯基、氘代聯(lián)苯基、萘基、氘代萘基；

T²和T³至少一個為單鍵，當(dāng)T²為單鍵時，T³為S或O；當(dāng)T³為單鍵時，T²為S或O；

R¹⁵-R²³相同或不同，并分別獨(dú)立選自氫、氘、甲基、氘代甲基、苯基、氘代苯基、氘代甲基取代苯基。

在本發(fā)明中，當(dāng)苯環(huán)A在3、4位置處與連接形成共有一邊的稠環(huán)時，通式Ⅳ具有如下結(jié)構(gòu)：