[發(fā)明專利]顯示基板、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010102455.X | 申請(qǐng)日: | 2020-02-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111258097B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-02-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何祥波;許慜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廈門(mén)天馬微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02F1/1333 | 分類號(hào): | G02F1/1333;G02F1/1337;G02F1/1345 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 361101 福建*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于:所述顯示基板包括臺(tái)階區(qū)和顯示區(qū),所述顯示區(qū)和所述臺(tái)階區(qū)沿第一方向排布;所述臺(tái)階區(qū)包括綁定區(qū),所述綁定區(qū)包括多個(gè)間隔設(shè)置的焊盤(pán),所述焊盤(pán)沿第二方向排布;每相鄰兩個(gè)所述焊盤(pán)之間包括第一間隔區(qū),所述第一間隔區(qū)絕緣隔開(kāi)相鄰兩個(gè)所述焊盤(pán);所述第一間隔區(qū)包括擴(kuò)散阻擋結(jié)構(gòu);所述擴(kuò)散阻擋結(jié)構(gòu)在襯底基板的正投影位于所述第一間隔區(qū)在所述襯底基板的正投影之內(nèi);所述第一方向與所述第二方向相交;所述擴(kuò)散阻擋結(jié)構(gòu)的邊界與所述第一間隔區(qū)的邊界不重合;
任一所述擴(kuò)散阻擋結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)擴(kuò)散阻擋單元;所述擴(kuò)散阻擋單元在所述襯底基板所在平面的正投影為條形、品形、折線形、橢圓形和V形中的至少一種;
所述第一間隔區(qū)還包括第一子間隔區(qū)和第二子間隔區(qū);所述第一子間隔區(qū)為所述擴(kuò)散阻擋單元靠近所述焊盤(pán)的邊緣與所述焊盤(pán)靠近所述第一間隔區(qū)的邊緣之間的區(qū)域,所述第二子間隔區(qū)為任意相鄰所述擴(kuò)散阻擋單元之間的區(qū)域;所述第一子間隔區(qū)遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面到所述襯底基板的距離為D1,所述第二子間隔區(qū)遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面到所述襯底基板的距離為D2,所述擴(kuò)散阻擋單元遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面到所述襯底基板的距離為D3;其中D1 D3,D2 D3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,位于每相鄰兩個(gè)所述焊盤(pán)間的多個(gè)所述擴(kuò)散阻擋單元沿所述第一方向排布延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述擴(kuò)散阻擋單元包括多個(gè)堆疊膜層,所述堆疊膜層包括絕緣層和/或金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述焊盤(pán)對(duì)應(yīng)的區(qū)域膜層結(jié)構(gòu)包括第一金屬層、第二金屬層、上層導(dǎo)電層以及位于所述第一金屬層與所述第二金屬層之間的第一絕緣層和位于所述第二金屬層與所述上層導(dǎo)電層之間的第二絕緣層;所述擴(kuò)散阻擋單元中的所述絕緣層和/或所述金屬層與所述第一金屬層、所述第二金屬層、所述上層導(dǎo)電層、所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層中至少一個(gè)在同一制程中制得。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板,其特征在于,所述擴(kuò)散阻擋單元中的所述絕緣層包括第三絕緣層和第四絕緣層,所述第四絕緣層位于所述第三絕緣層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè),所述金屬層位于所述第四絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè);所述第三絕緣層與所述第一絕緣層在同一制程中制得;所述第四絕緣層與所述第二絕緣層在同一制程中制得;所述擴(kuò)散阻擋單元中的所述金屬層與所述上層導(dǎo)電層在同一制程中制得。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板,其特征在于,所述擴(kuò)散阻擋單元中的所述絕緣層包括第五絕緣層和第六絕緣層,所述第六絕緣層位于所述第五絕緣層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè),所述金屬層位于所述第六絕緣層靠近所述第五絕緣層的一側(cè);所述第五絕緣層與所述第一絕緣層在同一制程中制得;所述第六絕緣層與所述第二絕緣層在同一制程中制得;所述擴(kuò)散阻擋單元中的所述金屬層與所述第二金屬層在同一制程中制得。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板,其特征在于,所述擴(kuò)散阻擋單元中的所述金屬層包括第三金屬層和第四金屬層,所述第三金屬層位于所述絕緣層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè),所述第四金屬層位于所述第三金屬層遠(yuǎn)離所述絕緣層的一側(cè);所述擴(kuò)散阻擋單元中的所述絕緣層與所述第一絕緣層在同一制程中制得;所述第三金屬層與所述第二金屬層在同一制程中制得;所述第四金屬層與所述上層導(dǎo)電層在同一制程中制得。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板,其特征在于,所述擴(kuò)散阻擋單元中的所述絕緣層包括第七絕緣層和第八絕緣層,所述第七絕緣層位于所述金屬層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè),所述第八絕緣層位于所述第七絕緣層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè);所述第七絕緣層與所述第一絕緣層在同一制程中制得,所述第八絕緣層與所述第二絕緣層在同一制程中制得;所述擴(kuò)散阻擋單元中的所述金屬層與所述第一金屬層在同一制程中制得。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過(guò)改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來(lái)修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來(lái)自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對(duì)強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





